薄膜晶体管及其制造方法

摘要

一种薄膜晶体管，其包括基板、栅极、第一介电层、通道层、源极/漏极与第二介电层。栅极设置于基板上，而第一介电层覆盖住栅极与基板。通道层至少设置于栅极上方的第一介电层上。源极/漏极设置于通道层上，而源极/漏极包括第一阻挡层、导体层与第二阻挡层。第一阻挡层设置于导体层与通道层之间，且第一阻挡层与第二阻挡层包覆导体层。第二介电层覆盖住源极/漏极。基于上述，本发明的薄膜晶体管具有较为稳定的电性质量。此外，本发明亦披露一种薄膜晶体管的制造方法。

主权项

1.一种薄膜晶体管，其特征是包括：基板；栅极，设置于该基板上；第一介电层，覆盖住该栅极与该基板；通道层，至少设置于该栅极上方的该第一介电层上；源极/漏极，设置于该通道层上，而该源极/漏极包括第一阻挡层、第一导体层与第二阻挡层，其中该第一阻挡层设置于该第一导体层与该通道层之间，且该第一阻挡层与该第二阻挡层包覆该第一导体层；以及第二介电层，覆盖住该源极/漏极。