| 发明名称 | 光电晶体管 | ||
| 摘要 | 一种光电晶体管具有通过势垒(26)与源极(28)隔开的有源区(24)。漏极(20)与有源区(24)横向隔开。入射到有源区上的光产生电子空穴对。空穴积累在势垒处并调节对电子的有效势垒高度。接着给栅极(4)施加栅极复位电压，其降低了势垒以允许空穴逃逸。 | ||
| 申请公布号 | CN1910760A | 申请公布日期 | 2007.02.07 |
| 申请号 | CN200580002886.2 | 申请日期 | 2005.01.21 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | J·M·香农;S·D·布拉泽顿 |
| 分类号 | H01L31/112(2006.01);H01L29/786(2006.01) | 主分类号 | H01L31/112(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王庆海;梁永 |
| 主权项 | 1.一种光电晶体管，包括：光敏半导体层(8)；在半导体层(8)下方或上方跨越半导体层的有源区(24)延伸的阻挡层(26、40)；与半导体层(8)的有源区(24)横向隔开的漏区(20)；连接到漏区的漏极接触(22)；在阻挡层(26)的另一侧上直到半导体层(8)的源极层(28、42)；栅极层(4)，其在半导体层(8)的相反侧上直到阻挡层(26、40)并与阻挡层(26、40)横向交叠用于控制阻挡层(26、40)的势垒高度以控制电子和空穴在源极层(28、42)和有源区(24)之间的传导；以及在栅极层(4)和半导体层(8)之间的栅极绝缘层(6)；其中该结构允许入射到光电晶体管上的光到达有源区(24)以在有源区中产生电子空穴对，这些空穴积累在势垒(26)处以改变有效势垒高度并且由此电流经过有源区(24)在源极层(28)和漏区(20)之间流动。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||