发明名称 仙人球型尖端阴极阵列结构的平板显示器及其制作工艺
摘要 本发明涉及一种仙人球型尖端阴极阵列结构的碳纳米管阴极场致发射显示器的制作,包括由阳极玻璃面板、阴极玻璃面板和四周玻璃围框所构成的密封真空腔;在阳极玻璃面板上有阳极导电层以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层;位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构以及消气剂附属元件;在阴极玻璃面板上有控制栅极、碳纳米管阴极以及仙人球型尖端阴极阵列结构;改变了碳纳米管阴极的形状和结构,充分利用了边缘位置发射大量电子的现象,有效地增强了碳纳米管顶端的电场强度,增大了碳纳米管阴极的发射面积,在进一步改善栅极控制效率的同时增强了栅极的控制能力,有助于进一步改善器件的场致发射特性,具有制作过程稳定可靠、制作工艺简单、制作成本低廉、结构简单的优点。
申请公布号 CN1909157A 申请公布日期 2007.02.07
申请号 CN200610048511.6 申请日期 2006.08.02
申请人 中原工学院 发明人 李玉魁
分类号 H01J31/12(2006.01);H01J29/02(2006.01);H01J29/04(2006.01);H01J1/30(2006.01);H01J1/46(2006.01);H01J9/00(2006.01) 主分类号 H01J31/12(2006.01)
代理机构 郑州科维专利代理有限公司 代理人 张国文;张欣堂
主权项 1、一种仙人球型尖端阴极阵列结构的平板显示器,包括由阳极玻璃面板[9]、阴极玻璃面板[1]和四周玻璃围框[14]所构成的密封真空腔;在阳极玻璃面板上有阳极导电层[10]以及制备在阳极导电层上面的荧光粉层[12];位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的支撑墙结构[13]以及消气剂附属元件[15],其特征在于:在阴极玻璃面板上有控制栅极[4]、碳纳米管[8]阴极以及仙人球型尖端阴极阵列结构。
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