| 发明名称 | 有机半导体装置、及使用该装置的显示装置和摄像装置 | ||
| 摘要 | 公开了一种可以有效地产生有机半导体层内的空穴及电子的复合或光电变换的有机半导体装置。该有机半导体装置包括：电子及空穴可移动的双极性的有机半导体层；空穴授受电极，其在与该有机半导体层之间授受空穴；电子授受电极，其设置为在与该空穴授受电极之间隔开规定的间隔，在与上述有机半导体层之间授受电子；空穴侧栅极，其夹着绝缘层与上述有机半导体层的靠近上述空穴授受电极的区域对置，控制上述有机半导体层内的空穴的分布；及电子侧栅极，其夹着绝缘层与上述有机半导体层的靠近上述电子授受电极的区域对置，控制上述有机半导体层内的电子的分布。 | ||
| 申请公布号 | CN1910962A | 申请公布日期 | 2007.02.07 |
| 申请号 | CN200580002696.0 | 申请日期 | 2005.01.20 |
| 申请人 | 国立大学法人京都大学;日本先锋公司;三菱化学株式会社;罗姆股份有限公司 | 发明人 | 安达千波矢;菅沼直俊 |
| 分类号 | H05B33/26(2006.01);H01L27/146(2006.01);H04N5/335(2006.01);H05B33/14(2006.01) | 主分类号 | H05B33/26(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李贵亮 |
| 主权项 | 1.一种有机半导体装置，其中，包括：电子及空穴可移动的双极性的有机半导体层；空穴授受电极，其在与该有机半导体层之间授受空穴；电子授受电极，其设置为在与该空穴授受电极之间隔开规定的间隔，在与上述有机半导体层之间授受电子；空穴侧栅极，其夹着绝缘层与上述有机半导体层的靠近上述空穴授受电极的区域对置，控制上述有机半导体层内的空穴的分布；及电子侧栅极，其夹着绝缘层与上述有机半导体层的靠近上述电子授受电极的区域对置，控制上述有机半导体层内的电子的分布。 | ||
| 地址 | 日本国京都府 | ||