| 发明名称 | 半导体器件制造方法、制造装置及其清洗方法和制造系统 | ||
| 摘要 | 提供一种半导体器件制造方法、制造装置及其清洗方法和制造系统，不管处理种类如何，难以受到处理环境制约，并且可以适当状态进行处理，可容易地得到优良的半导体器件。其中，将监测装置(8)配置成监测部(29)的外侧暴露于反应容器(2)内，并开始处理，其中监测装置(8)包括：由可透过和反射包含规定波长的光的材料形成的监测部(29)；形成为将向该监测部(29)照射包含规定波长的光的光照射部(16)、接收监测部(29)的照射光的反射光的光接收部(30)、照射光和反射光与反应容器(2)内的气氛和引入反应容器(2)内的物质分离的光路保护体(15)。测定反射光的强度，根据监测部(29)上淀积的淀积物的淀积量求出晶片(3)上淀积的膜的厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN1299323C | 申请公布日期 | 2007.02.07 |
| 申请号 | CN02160294.8 | 申请日期 | 2002.08.30 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 山本明人;中尾隆;见方裕一;纲岛祥隆 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于：在容纳实施规定处理的被处理体的处理室内部配置上述被处理体；将包括：由可透过和反射包含规定波长的光的材料形成的监测部、和形成为把向该监测部照射包含上述规定波长的光的光照射部、接收上述监测部的上述照射光的反射光的光接收部、把上述照射光和上述反射光与上述处理室内的气氛和引入到上述处理室内的物质分离的光路保护体的监测装置，配置成至少上述监测部的外侧暴露于上述处理室内；开始上述规定处理，同时开始测定上述反射光的特征量；通过测定上述反射光的特征量，测定上述监测部上淀积的淀积物的淀积量；根据该淀积物的淀积量求出上述被处理体上淀积的膜的厚度；以及根据上述被处理体上淀积的上述膜的厚度控制上述规定处理并进行上述规定处理。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||