| 发明名称 | 包含场效应晶体管以及减少漏电流与提高单位面积电容量的被动电容器的半导体装置 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置包含一场效应晶体管(250)与一被动电容器(240)，其中该电容器(240)的电介质层(221a)包含高k(高介电常数)材料，而该场效应晶体管(250)的栅极绝缘层(231)则由超薄氧化物层或者氧氮化物层所形成，以便提供用于在栅极绝缘层与底层沟道区域之间界面上的较好载流子迁移率。因为在电容器里的载流子迁移率并不是很重要，所以高k材料则能允许单位面积高电容量的架构，而仍具有能充分有效减少漏电流的厚度的特征。 | ||
| 申请公布号 | CN1299362C | 申请公布日期 | 2007.02.07 |
| 申请号 | CN03820840.7 | 申请日期 | 2003.08.29 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | K·维乔雷克;G·布尔巴赫;T·费德尔 |
| 分类号 | H01L27/06(2006.01);H01L27/08(2006.01);H01L21/02(2006.01) | 主分类号 | H01L27/06(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，包含：基板(201)，其包括第一半导体区域(220)与第二半导体区域(230)，该第一半导体区域(220)与第二半导体区域(230)由一电介质绝缘结构(202)而彼此隔开；电容器(240)，形成于该第一半导体区域(220)之中及之上，该电容器(240)包括形成于该第一半导体区域(220)上的一电介质(221a)及配置于该第一半导体区域(220)与该电容器(240)的该电介质(221a)之间的一阻障层，该电介质(221a)具有第一介电常数；以及场效应晶体管(250)，形成于该第二半导体区域(230)之中及之上，该场效应晶体管(250)包括一栅极绝缘层(231a)，由具有小于该第一介电常数的第二介电常数的一材料所形成。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||