发明名称 | 光刻用硫化物半导体掩膜 | ||
摘要 | 一种涂在光刻胶上的光刻用硫化物半导体掩膜,所述的硫化物半导体掩膜的材料为碲化锗、锗锑碲、银铟锑碲或碲化锑。本发明硫化物半导体掩膜材料由于材料的三阶非线性效应,能大大减小光斑或者刻蚀线宽,刻蚀点或刻蚀线宽是光斑衍射极限的1/3-1/6,比采用金属铟(In)(60%)的效果更明显,同时需要的激光功率也大大降低。 | ||
申请公布号 | CN1299330C | 申请公布日期 | 2007.02.07 |
申请号 | CN200410093319.X | 申请日期 | 2004.12.21 |
申请人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明人 | 张锋;徐文东;王阳;干福熹;杨金涛;高秀敏;周飞 |
分类号 | H01L21/033(2006.01) | 主分类号 | H01L21/033(2006.01) |
代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人 | 张泽纯 |
主权项 | 1、一种涂在光刻胶上的光刻用硫化物半导体掩膜,其特征在于所述的硫化物半导体掩膜的材料为碲化锗、锗锑碲、银铟锑碲或碲化锑。 | ||
地址 | 201800上海市800-211邮政信箱 |