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发明名称 A bipolar junction transistor having a high germanium concentration in a silicon-germanium layer and a method for forming the bipolar junction transistor
摘要
申请公布号 KR20070015921(A) 申请公布日期 2007.02.06
申请号 KR20067018437 申请日期 2005.03.10
申请人 发明人
分类号 H01L21/316;H01L21/331;H01L29/10;H01L29/737 主分类号 H01L21/316
代理机构 代理人
主权项
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