Double Gate Transistors Having At Least Two Gate Silicon Patterns On Active Region Formed In Thin Body And Methods Of Forming The Same,申请号KR20050033257-传众专利搜索

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发明名称	Double Gate Transistors Having At Least Two Gate Silicon Patterns On Active Region Formed In Thin Body And Methods Of Forming The Same
摘要
申请公布号	KR100678476(B1)	申请公布日期	2007.02.02
申请号	KR20050033257	申请日期	2005.04.21
申请人		发明人
分类号	H01L21/336	主分类号	H01L21/336
代理机构		代理人
主权项
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