发明名称 Method for manufacturing transistor in semiconductor device using damascene process
摘要
申请公布号 KR100675896(B1) 申请公布日期 2007.02.02
申请号 KR20050058797 申请日期 2005.06.30
申请人 发明人
分类号 H01L21/335 主分类号 H01L21/335
代理机构 代理人
主权项
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