发明名称 | 半穿透半反射画素结构 | ||
摘要 | 一种半穿透半反射画素结构,其包括一主动元件、一储存电容器、一透明电极以及一第一反射电极。储存电容器包括一下电极、一浮置电极以及一上电极。上电极配置于下电极与浮置电极上方,且与主动元件电性连接。透明电极与上电极电性连接。第一反射电极与浮置电极电性连接,且与透明电极电性绝缘。基于上述,本发明所提出之半穿透半反射画素结构可改善单晶胞间距式半穿透半反射液晶显示面板的显示品质。 | ||
申请公布号 | TW200705021 | 申请公布日期 | 2007.02.01 |
申请号 | TW094124658 | 申请日期 | 2005.07.21 |
申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 胡至仁;张志明;吴明洲 |
分类号 | G02F1/1333(2006.01) | 主分类号 | G02F1/1333(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路1号 |