半导体光元件及其制造方法

摘要

【课题】在制作过程中，由于InAlGaAs层之一部(先端部)露出于表面，所以露出之部分被氧化，在其上面形成金属覆膜层时，在该覆膜层之表面产生凹凸，在该覆膜层上产生缺陷，而使雷射特性低下或是良率低下。【解决手段】作为设置在活性层12之侧方部电流区块层29，系使用包含Al(Ga)InAs层21、22等复数之区块层，在上述Al(Ga)InAs层与覆膜层3之间，介装较该Al(Ga)InAs层更具有耐氧化性之区块层28，使电流区块层成长后，该Al(Ga)InAs层不会露出于电流区块层表面。