半导体积体电路装置及半导体积体电路装置之制造方法

摘要

本发明简化使用双道金属镶嵌(Dual–Damascene)法之多层铜布线之形成步骤。其系将形成于层间绝缘膜45上之光阻膜51作为遮罩，乾式蚀刻层间绝缘膜45，藉由在形成于层间绝缘膜45中途部之停止膜46之表面蚀刻，而形成布线沟52、53。此时，藉由光反射率低之SiCN膜构成停止膜46，藉由使光阻膜51作为曝光时之防反射膜之功能，而无须在光阻膜51之下层形成防反射膜之步骤。