矽晶圆及其制造方法

摘要

本发明之矽晶圆的制造方法是在于置入含氢原子物质的气体之惰性气相中，利用CZ法使单结晶矽成长。对由已成长的单结晶矽所形成的晶圆，于非氧化气相中施予1000℃以上1300℃以下的高温热处理。在高温热处理之前，以低于那时候的处理温度之温度施予低温热处理。