在碳化矽基板上低差排密度之第三族氮化层及其制造方法

摘要

本发明提供一种第三族氮化物半导体装置结构，其包括一碳化矽(SiC)基板及一在该SiC基板上方之第三族氮化磊晶层。该第三族氮化磊晶层具有小于约4×108cm–2之差排密度及／或至少约50V之隔离电压。