原位掺杂之N型射极的掺杂轮廓改良DOPING PROFILE IMPROVEMENT OF IN-SITU DOPED N-TYPE EMITTERS

摘要

本发明系关于一种形成一射极基极接面之方法。该方法包括以下步骤：提供一基极层(26)；及使用一包含一组处理气体之气流而于该基极层(26)上生长一掺杂单射极层(28)，其中气流包括在该气流之最初几秒内添加至该等处理气体之一锗(Ge)源的添加物。