发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 本发明之半导体装置系包含半导体基板;复数条之源极区域,其系在该半导体基板形成条状者;复数条之闸极电极,其系在前述半导体基板上,于前述条状之复数条之源极区域间形成条状者;绝缘膜,其系覆盖前述源极区域及闸极电极,并且在前述源极区域之纵方向相关之一部分之特定区域具有使源极区域局部地露出之接触孔者;及源极电极,其系形成于该绝缘膜上,经由前述接触孔电性连接于前述源极区域者。
申请公布号 TW200705663 申请公布日期 2007.02.01
申请号 TW095113540 申请日期 2006.04.14
申请人 罗姆股份有限公司 发明人 吉持贤一
分类号 H01L29/78(2006.01) 主分类号 H01L29/78(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本