具有来自聚矽氮烷之氮化矽质膜之半导体装置及其制法

摘要

本发明系提供一种能够使汲极电流增加之n型场效电晶体、及该电晶体之简单且低成本的制造方法。该n型场效电晶体具备氮化矽质膜，该氮化矽质膜系藉由涂布含有聚矽氮烷化合物之涂布液、烧而形成。