形成层间介电质之方法

摘要

本发明揭示一种用以形成一半导体装置(10)之方法，其包括：提供一半导体基板(12)；于该半导体基板之表面上形成一第一应力源层(46)；选择性移除该第一应力源层(46)之部份；于该半导体基板以及该第一应力源层之表面上形成一第二应力源层(52)；以及运用等向蚀刻选择性移除该第二应力源层之部份。于一项具体实施例中，该等向蚀刻系一湿式蚀刻，其会在不移除大量该第一应力源层(46)之情况下选择性移除该第二应力源层(52)，且亦会平坦化该第一应力源层与该第二应力源层间的边界。