| 主权项 |
1.一种金属薄膜,其系设于所给予之基体上方之具 有面心立方型结晶构造者,且 上述薄膜之(111)面优先配向,且不与上述基体之表 面平行之(100)面表露于其表面。 2.如请求项1之金属薄膜,其中具有上述面心立方型 结晶构造之金属包含选自Pt、Ir及Ru之群中之至少 一种。 3.如请求项1或2之金属薄膜,其中上述金属薄膜之 表面之算术平均粗度(Ra)为1.5 nm以上、5 nm以下。 4.一种金属薄膜之形成方法,其系藉由物理气相沉 积法形成金属薄膜,且 施加400 V以下之电压进行成膜。 5.如请求项4之金属薄膜之形成方法,其中其成膜速 度为0.5 /秒以上、5/秒以下。 6.如请求项4或5之金属薄膜之形成方法,其中其成 膜时之真空度为0.8 Pa以上、10 Pa以下。 7.一种金属薄膜之形成方法,其系藉由物理气相沉 积法形成金属薄膜,且 其成膜速度为0.5 /秒以上、5 /秒以下。 8.如请求项7之金属薄膜之形成方法,其中其成膜时 之真空度为0.8 Pa以上、10 Pa以下。 9.一种金属薄膜之形成方法,其系藉由物理气相沉 积法形成金属薄膜,且 其成膜时之真空度为0.8 Pa以上、10 Pa以下。 10.一种介电体电容器,其包含: 所给予之基体; 包含金属薄膜之第1电极,该金属薄膜系设于上述 基体上方之具有面心立方型结晶构造者,(111)面优 先配向,且不与上述基体之表面平行之(100)面表露 于其表面; 设于上述第1电极上方之介电体膜;及 设于上述介电体膜上方之第2电极。 11.如请求项10之介电体电容器,其中具有上述面心 立方型结晶构造之金属包含选自Pt、Ir及Ru之群中 之至少一个。 12.如请求项10或11之介电体电容器,其中上述金属 薄膜之表面之算术平均粗度(Ra)为1.5 nm以上、5 nm 以下。 13.如请求项10之介电体电容器,其中上述介电体膜 系具有钙钛矿型之结晶构造,且优先配向于(111)面 之膜。 14.如请求项13之介电体电容器,其中表露于上述第1 电极表面之(100)面与上述介电体膜之(001)面晶格匹 配。 15如请求项14之介电体电容器,其中 上述介电体以一般式ABO3表示; A元素包含Pb。 16.一种介电体电容器之制造方法,其包含: 形成金属薄膜,形成第1电极,该金属薄膜系具有面 心立方型结晶构造者,(111)面优先配向,且不与上述 基体之表面平行之(100)面表露于其表面; 于上述第1电极上方形成介电体膜; 于上述介电体膜上方形成第2电极; 上述介电体膜之形成系由物理气相沉积法、化学 气相沉积法以及旋涂法之任一种方法所进行。 17.一种半导体装置,其包含介电体电容器; 上述介电体电容器包含: 由金属薄膜构成之第1电极,该金属薄膜系具有面 心立方型结晶构造者,(111)面优先配向,且不与上述 基体之表面平行之(100)面表露于其表面; 设于上述第1电极上方之介电体膜;及 设于上述介电体膜上方之第2电极。 18.如请求项17之半导体装置,其中具有上述面心立 方型结晶构造之金属包含选自Pt、Ir及Ru之群中之 至少一个。 19.如请求项17或18之半导体装置,其中上述金属薄 膜之表面之算术平均粗度(Ra)为1.5 nm以上、5 nm以 下。 图式简单说明: 图1(A)、(B)系说明本实施形态之金属薄膜之结晶构 造的图。 图2系说明本实施形态之介电体电容器之图。 图3(A)、(B)系模式性地表示本实施形态之介电体电 容器之图。 图4系模式性地表示本实施例之介电体电容器之剖 面图。 图5系表示样品No1之第1电极20之表面状态的AFM像。 图6系表示样品No1之第1电极20之XRD绕射图案的图。 图7系表示样品No11之第1电极20之表面状态的AFM像 。 图8系表示样品No11之第1电极20之XRD绕射图案的图 。 图9系表示样品No1之PZT膜之XRD绕射图案的图。 图10系表示样品No11之PZT膜之XRD绕射图案的图。 图11系表示样品No1之Pt膜28与PZT膜30之边界中原子 配列的图。 图12系表示样品No1之介电体电容器之滞后特性的 图。 图13系表示样品No11之介电体电容器之滞后特性的 图。 图14(A)、(B)系表示本实施形态之强介电体记忆体 之图。 图15(A)、(B)系表示本实施形态之强介电体记忆体 之图。 |
