| 主权项 |
1.一种处理低k値电介质材料表面之方法,其包含: a.用超临界甲矽烷基化剂来处理该低k値电介质材 料表面,以形成一钝化之低k値电介质材料表面; b.在用超临界甲矽烷基化剂处理该低k値电介质材 料表面之后,移除该超临界甲矽烷基化剂; c.用超临界溶剂溶液来处理该经钝化之低k値电介 质材料表面;及 d.在用超临界溶剂溶液处理该经钝化之低k値电介 质材料表面之后,移除该超临界溶剂。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中,该超临界甲 矽烷基化剂包括超临界二氧化碳及某一数量之包 含有机基团之甲矽烷基化剂。 3.如申请专利范围第2项之方法,其中,该有机基团 包含5个碳原子或更少。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中,该超临界溶 剂溶液包含超临界二氧化碳及酸类与氟化物之混 合物。 5.如申请专利范围第4项之方法,其中,该酸类包含 有机酸类。 6.如申请专利范围第4项之方法,其中,该酸类包含 无机酸类。 7.如申请专利范围第1项之方法,其中,该超临界甲 矽烷基化剂包含具有结构(R1),(R2),(R3)SiNH(R4)之矽甲 烷。 8.如申请专利范围第1项之方法,其中,该超临界甲 矽烷基化剂另包含一载体溶剂。 9.如申请专利范围第5项之方法,其中,该载体溶剂 系选自由N,N-二甲基乙醯胺(DMAC)、-丁内酯(BLO)、 二甲亚枫(DMSO)、碳酸乙烯酯(EC)、N-甲基咯烷酮( NMP)、二甲基啶酮、碳酸丙烯酯及酒精所组成之 族群。 10.如申请专利范围第1项之方法,其中,该低k値电介 质材料之表面系维持在摄氏25至200度范围之间。 11.如申请专利范围第1项之方法,其中,用超临界甲 矽烷基化剂来处理该低k値电介质材料表面包含使 该超临界甲矽烷基化剂循环于该低k値电介质材料 表面上方。 12.如申请专利范围第1项之方法,其中,用超临界溶 剂溶液来处理该低k値电介质材料表面包含使该超 临界溶剂溶液循环于该低k値电介质材料表面上方 。 13.如申请专利范围第1项之方法,其中,该超临界甲 矽烷基化剂系维持在每平方英寸700至9,000磅之压 力范围中。 14.如申请专利范围第1项之方法,另包含于用超临 界甲矽烷基化剂来处理该低k値电介质材料表面之 前乾燥该低k値电介质材料表面。 15.如申请专利范围第10项之方法,其中,乾燥该低k 値电介质材料之表面包括用含有超临界二氧化碳 之超临界乾燥溶液来处理该低k値电介质材料表面 。 16.如申请专利范围第1项之方法,其中,该低k値电介 质材料之表面包括氧化矽。 17.如申请专利范围第1项之方法,其中,该低k値电介 质材料之表面包括一选自由掺杂碳之氧化物(COD) 、旋转涂布玻璃(SOG)、及氟化矽玻璃(FSG)所组成族 群之材料。 18.一种处理低k値电介质表面之方法,其包含: a.用第一超临界清洁溶液由该低k値电介质表面来 去除蚀刻后残渣; b.用甲矽烷基化剂来处理该低k値电介质表面以形 成钝化之电介质表面,其中,该甲矽烷基化剂系在 第二超临界清洁溶液中;及 c.用一溶剂来处理该钝化之电介质表面,其中,该溶 剂系在第三超临界清洁溶液中。 19.如申请专利范围第18项之方法,其中,该蚀刻后残 渣包含一聚合物。 20.如申请专利范围第19项之方法,其中,该聚合物系 一光阻蚀刻剂聚合物。 21.如申请专利范围第20项之方法,其中,该光阻蚀刻 剂聚合物包含一抗反射染料。 22.如申请专利范围第18项之方法,其中,该电介质表 面包含氧化矽。 23.如申请专利范围第18项之方法,其中,该电介质表 面包含低k値电介质材料。 24.如申请专利范围第18项之方法,其中,该电介质表 面包括一选自由掺杂碳之氧化物(COD)、旋转涂布 玻璃(SOG)、及氟化矽玻璃(FSG)所组成族群之材料。 25.如申请专利范围第18项之方法,其中,该蚀刻后残 渣包含一抗反射涂层。 26.如申请专利范围第18项之方法,其中,该甲矽烷基 化剂包含一有机矽化合物。 27.如申请专利范围第18项之方法,其中,该溶剂包含 超临界二氧化碳及酸类与氟化物之混合物。 28.如申请专利范围第25项之方法,其中,该有机矽化 合物系具有结构(R1),(R2),(R3)SiNH(R4)之矽甲烷。 图式简单说明: 图1A及1B按照本发明说明一在使用该超临界溶液, 随后藉着一清洁溶液处理步骤移除蚀刻后残渣之 前后之低k値电介质材料之简化概要图,该溶液包 括超临界二氧化碳及以矽为基底的钝化剂(亦即钝 化处理步骤)。 图2按照本发明之具体实施例说明一超临界晶圆处 理设备之简化概要图。 图3按照本发明之具体实施例说明一超临界晶圆处 理设备之详细概要图。 图4按照本发明之具体实施例说明一概要方块图, 其简述用以处理以氧化矽为基底的低k値电介质材 料层之步骤。 |
