| 主权项 |
1.一种用以执行多页命令之方法,该方法包含: 获得一第一页数,该第一页数系为一第一惯则中之 一者,该第一页数系排置为可识别一与一非依电性 记忆体有关之第一页; 令该第一页数对映于一第二页数,该第二页数系为 一第二惯则中之一者,该第二页数系排置为可识别 该第一页,其中,令该第一页数对映于该第二页数 包括识别一与该非依电性记忆体有关之总区数及 一与总区块数之每一区块有关之总页数;以及 使用该第二页数及该多页命令存取该第一页。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其更包括: 获得一第三页数,该第三页数系为该第一惯则中之 一者,该第三页数系排置为可识别一与一非依电性 记忆体有关之第二页; 令该第三页数对映于一第四页数,该第四页数系为 该第二惯则中之一者,该第四页数系排置为可识别 该第二页;以及 使用该第二页数存取该第一页及实质地同时使用 该第四页数存取该第二页。 3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中,存取该 第一页及存取该第二页包括将资料写入该第一页 及该第二页。 4.如申请专利范围第2项所述之方法,其中,该第一 页系包括于一第一区且该第二页系包括于一第二 区。 5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,令该第 一页数对映于该第二页数更包括识别该第一页所 在之一区。 6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中,令该第 一页数对映于该第二页数更再包括识别该第一页 所在之一区块,及自该区块之一起点判定该第一页 之一偏移。 7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该非依 电性记忆体系为一NAND快闪记忆体。 8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中,该NAND快 闪记忆体系为一MLC NAND快闪记忆体。 9.一种用以执行多页命令之方法,该方法包含: 获得一第一页数,该第一页数系为一第一惯则中之 一者,该第一页数系排置为可识别一与一非依电性 记忆体有关之第一页; 令该第一页数对映于一第二页数,该第二页数系为 一第二惯则中之一者,该第二页数系排置为可识别 该第一页,其中,令该第一页数对映于该第二页数 包括使用一第一値对一资料结构编索引,该第一値 系使用该第一页数而判定,该资料结构系排置为含 有对映资讯;以及 使用该第二页数及该多页命令存取该第一页。 10.如申请专利范围第9项所述之方法,其更包括: 获得一第三页数,该第三页系为该第一惯则中之一 者,该第三页数系排置为可识别一与该非依电性记 忆体有关之第二页; 令该第三页数对映于一第四页数,该第四页数系为 该第二惯则中之一者,该第四页数系排置为可识别 该第二页,其中,令该第三页数对映于该第四页数 包括使用一第二値对该资料结构编索引,该第二値 系使用该第三页数而判定;以及 使用该第二页数存取该第一页及实质地同时使用 该第四页数存取该第二页。 11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中,存取该 第一页及存取该第二页包括将资料写入该第一页 及该第二页。 12.如申请专利范围第10项所述之方法,其中,该第一 页系包括于一第一区且该第二页系包括于一第二 区。 13.如申请专利范围第9项所述之方法,其中,该非依 电性记忆体系为一NAND快闪记忆体。 14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中,该NAND 快闪记忆体系为一MLC NAND快闪记忆体。 15.一种用以组织非依电性记忆体之数区之方法,该 等数区之每一区皆包括至少一区块,该等数区之每 一区之该至少一区块包括数页,该方法包含: 分配一第一页数予一与该等数区之一第一区有关 之第一页,该第一页数系为一第一惯则中之一者; 以及 分配一第二页数予一与该等数区之一第二区有关 之第二页,其中,使用与包括于该等数区之一总区 数及包括于该第一区之一总页数有关之资讯,该第 一页数系排置为可被转换为一与该第一页有关之 第一实体页数,且该第二页数系排置为可被转换为 一与该第二页有关之第二实体页数。 16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中,与包括 于该等数区之该总区数及包括于该第一区之该总 页数有关之该资讯系至少部份地包含于一资料结 构。 17.如申请专利范围第15项所述之方法,其中,该第二 页数系实质地连续于该第一页数。 18.如申请专利范围第15项所述之方法,其中,该第一 页及该第二页系排置为可使用一单一多页命令而 存取。 19.如申请专利范围第18项所述之方法,其中,该单一 多页命令系为一排置为可使用该第一实体页数及 该第二实体页数而将资料写入该第一页及该第二 页之多页写入命令。 20.一种非依电性记忆体系统,其包含: 一非依电性记忆体,该非依电性记忆体包括数页, 该等数页系排置于数个区块,该等数个区块系排置 于数区,该等数页包括一第一页; 用以获得一第一页数之码装置,该第一页数系为一 第惯则中之一者,该第一页数系排置为可识别该第 一页; 用以令该第一页数对映于一第二页数之码装置,该 第二页数系为一第二惯则中之一者,该第二页数系 排置为可识别该第一页,其中,用以令该第一页数 对映于该第二页数之该等码装置包括用以识别一 总区数及与一该总区块数之每一区块有关之该等 数页之总数的码装置; 用以使用该第二页数存取该第一页之码装置;以及 用以储存该等码装置之一记忆体。 21.如申请专利范围第20项所述之系统,其更包括: 用以获得一第三页数之码装置,该第三页数系为该 第一惯则中之一者,该第三页数系排置为可识别该 等数页之一第二页; 用以令该第三页数对映于一第四页数之码装置,该 第四页数系为该第二惯则中之一者,该第四页数系 排置为可识别该第二页;以及 用以使用该第二页数存取该第一页及实质地同时 使用该第四页数存取该第二页之码装置。 22.如申请专利范围第21项所述之系统,其中,用以存 取该第一页及用以存取该第二页之该等码装置包 括用以将资料写入该第一页及该第二页之码装置 。 23.如申请专利范围第21项所述之系统,其中,该第一 页系包括于一第一区且该第二页系包括于该第二 区。 24.如申请专利范围第20项所述之系统,其中,用以令 该第一页数对映于该第二页数之该等码装置更包 括用以识别该第一页所在之一区的码装置。 25.如申请专利范围第24项所述之系统,其中,令该第 一页数对映于该第二页数更包括识别该第一页所 在之一区块,及自该区块之一起点判定该第一页之 一偏移。 26.如申请专利范围第20项所述之系统,其中,该非依 电性记忆体系为一MLC NAND快闪记忆体。 27.一种非依电性记忆体系统,其包含: 一非依电性记忆体,该非依电性记忆体包括一第一 页; 用以维持一资料结构之码装置,该资料结构系排置 为含有对映资讯; 用以获得一第一页数之码装置,该第一页数系为一 第一惯则中之一者,该第一页数系排置为可识别该 第一页; 用以令该第一页数对映于一第二页数之码装置,该 第二页数系为一第二惯则中之一者,该第二页数系 排置为可识别该第一页,其中,令该第一页数对映 于该第二页数包括使用一第一値对该资料结构编 索引,该第一値系使用该第一页数而判定; 用以使用该第二页数存取该第一页之码装置;以及 用以储存该等码装置及该资料结构之一区域。 28.如申请专利范围第27项所述之系统,其更包括: 用以获得一第三页数之码装置,该第三页数系为该 第一惯则中之一者,该第三页数系排置为可识别一 包括于该非依电性记忆体之第二页; 用以令该第三页数对映于一第四页数之码装置,该 第四页数系为该第二惯则中之一者,该第四页数系 排置为可识别该第二页,其中,用以令该第三页数 对映于该第四页数之该等码装置包括用以使用一 第二値对该资料结构编索引之码装置,该第二値系 使用该第三页数而判定;以及 用以使用该第二页数存取该第一页及实质地同时 使用该第四页数存取该第二页之码装置。 29.如申请专利范围第28项所述之系统,其中,用以存 取该第一页及用以存取该第二页之该等码装置包 括用以将资料写入该第一页及该第二页之码装置 。 30.如申请专利范围第28项所述之系统,其中,该第一 页系包括于一第一区且该第二页系包括于一第二 区。 31.如申请专利范围第27项所述之系统,其中,该非依 电性记忆体系为一MLC NAND快闪记忆体。 32.一种用以组织非依电性记忆体之数区之系统,该 等数区之每一区包括至少一区块,该等数区之每一 区之该至少一区块包括数页,该系统包含: 用以将一第一页数分配予一与该等数区之一第一 区有关之第一页的码装置,该第一页数系为一第一 惯则中之一者; 用以将一第二页数分配予一与该等数区之一第二 区有关之第二页的码装置,其中,使用与包括于该 等数区之一总区数及包括于该第一区之一总页数 有关之资讯,该第一页数系排置为可被转换为一与 该第一页有关之第一实体页数,且该第二页系排置 为可被转换为一与该第二页有关之第二实体页数; 以及 一用以储存该等码装置之记忆体。 33.如申请专利范围第32项所述之系统,其更包括用 以使用一单一多页命令存取该第一页与该第二页 之码装置。 34.一种用以执行多页命令之系统,该系统包含: 用以获得一第一页数之装置,该第一页数系为一第 一惯则中之一者,该第一页数系排置为可识别一与 一非依电性记忆体有关之第一页; 用以令该第一页数对映于一第二页数之装置,该第 二页数系为一第二惯则中之一者,该第二页数系排 置为可识别该第一页,其中,用以令该第一页数对 映于该第二页数之该等装置包括用以识别一与该 非依电性记忆体有关之总区数,及一与一总区块数 之每一区块有关之总页数的装置;以及 用以使用该第二页数存取该第一页之装置。 35.如申请专利范围第34项所述之系统,其更包括: 用以获得一第三页数之装置,该第三页数系为该第 一惯则中之一者,该第三页数系排置为可识别一与 一非依电性记忆体有关之第二页; 用以令该第三页数对映于一第四页数之装置,该第 四页数系为该第二惯则中之一者,该第四页数系排 置为可识别该第二页;以及 用以使用该第二页数存取该第一页及实质地同时 使用该第四页数存取该第二页之装置。 36.如申请专利范围第34项所述之系统,其中,该非依 电性记忆体系为一MLC NAND快闪记忆体。 37.一种用以执行多页命令之系统,该系统包含: 用以获得一第一页数之装置,该第一页数系为一第 一惯则中之一者,该第一页数系排置为可识别一与 一非依电性记忆体有关之第一页; 用以令该第一页数对映于一第二页数之装置,该第 二页数系为一第二惯则中之一者,该第二页数系排 置为可识别该第一页,其中,用以令该第一页数对 映于该第二页数之该等装置包括用以使用一第一 値对一资料结构编索引之装置,该资料结构系排置 为含有对映资讯;以及 用以使用该第二页数存取该第一页之装置。 38.如申请专利范围第37项所述之系统,其更包括: 用以获得一第三页数之装置,该第三页数系为该第 一惯则中之一者,该第三页数系排置为可识别一与 该非依电性记忆体有关之第二页; 用以令该第三页数对映于一第四页数之装置,该第 四页数系为该第二惯则中之一者,该第四页数系排 置为可识别该第二页,其中,用以令该第三页数对 映于该第四页数之该等装置包括用以使用一第二 値对该资料结构编索引之装置,该第二値系使用该 第三页数而判定;以及 用以使用该第二页数存取该第一页及实质地同时 使用该第四页数存取该第二页之装置。 39.如申请专利范围第37项所述之系统,其中,该非依 电性记忆体系为一MLC NAND快闪记忆体。 40.一种使用共用命令存取数个记忆体元件之方法, 该等数个记忆体元件系被分组为一非依电性记忆 体之数个群组,该等数个群组系排置于数区,该方 法包含: 使用一第一惯则之识别器识别该等数个记忆体元 件; 实质地将该第一惯则之该等识别器转换为该第二 惯则之识别器,该第二惯则之该等识别器系排置为 对应于该非依电性记忆体之该等数个记忆体元件 之资际位置,其中,将该第一惯则之该等识别器转 换为该第二惯则之识别器包括使用与包括于该等 数区之一总区数有关之资讯、与包括于该等数个 群组之每一群组之一记忆体元件总数有关之资讯 、及该第一识别器;以及 使用该共用命令存取该等数个记忆体元件。 41.如申请专利范围第40项所述之方法,其中,该第一 惯则之可识别包括于该等数区之一第一区的该等 数个记忆体元件之一第一记忆体元件的一第一识 别器系排置为具有一第一値,该第一惯则之可识别 包括于该等数区之一第二区的该等数个记忆体元 件之一第二记忆体元件的一第二识别器系排置为 具有一第二値,其中,该第二値系为该第一値加一 之値。 42.如申请专利范围第41项所述之方法,其中,该第一 记忆体元件并未直接实体地连续于该第二记忆体 元件。 43.如申请专利范围第40项所述之方法,其中,使用该 共用命令存取该等数个记忆体元件包括实质地使 用该共用命令之一单一实例将资料写入该等数个 记忆体元件,及使用该共用命令之一单一实例自该 等数个记忆体元件抹除资料中之一者。 44.如申请专利范围第40项所述之方法,其中,使用与 包括于该等数区之该总区数有关之该资讯、与包 括于该等数个群组之每一群组之一记忆体总数有 关的该资讯、及该第一识别器将该第一惯则之该 等识别器转换为该第二惯则之识别器包括对包括 与该第二惯则之该等识别器有关之资讯之一资料 结构编索引。 45.如申请专利范围第40项所述之方法,其中,使用与 包括于该等数区之该总区数有关之该资讯、与包 括于该等数个群组之每一群组之一记忆体总数有 关的该资讯、及该第一识别器将该第一惯则之该 等识别器转换为该第二惯则之识别器包括: 执行一计算,该计算系排置为可判定该第二惯则之 对应于该第一惯则之一第一识别器的一第二识别 器,其中,该计算使用与包括于该等数区之该总区 数有关之该资讯、与包括于该等数个群组之每一 群组之一记忆体总数有关的该资讯。 46.如申请专利范围第40项所述之方法,其中,该等数 个群组系为数个区块,且该等数个记忆体元件系为 数个实体页。 47.如申请专利范围第40项所述之方法,其中,该非依 电性记忆体系为一NAND快闪记忆体。 图式简单说明: 第1a图系包括非依电性记忆体的一般主机系统之 图式表示。 第1b图系诸如第1a图的记忆体装置120之记忆体装置 之图式表示。 第1c图系包括置入式非依电性记忆体之主机系统 之图式表示。 第2a图系根据本发明之一实施例之非依电性记忆 体的区块之图式表示。 第2b图系根据本发明之一实施例之诸如第2a图的被 分组为区之区块202之非依电性记忆体的区块的图 式表示。 第3a图系根据本发明之一实施例之诸如第2b图的区 212的非依电性记依体构件之区的图式表示。 第3b图系根据本发明之一实施例之被分组为多页 区段之非依电性记依体构件之页的图式表示。 第4图系根据本发明之一实施例之页已被分配转换 页数之非依电性记忆体之区的图式表示。 第5图系根据本发明之一实施例之将与非依电性记 忆体之区块有关之转换页数对映为实际实体页数 之对映的图式表示。 第6图系根据本发明之一实施例之被分组为区及单 元之具有转换页数的数个区块之图式表示。 第7图系根据本发明之一实施例之可被用以促进多 页存取或规划操作的查询表之图式表示。 第8图系根据本发明之一实施例之说明与执行诸如 系统之非依电性记忆体系统的多页写入操作之处 理有关之步骤的处理流程图。 第9图系根据本发明之一实施例之说明与牵涉使用 查询表之多页写入处理有关之步骤的处理流程图 。 第10图系根据本发明之一实施例之说明与执行诸 如系统之非依电性记忆体系统的读取操作之处理 有关之步骤的处理流程图。 第11图系根据本发明之一实施例之说明与牵涉使 用查询表之读取处理有关的步骤的处理流程图。 第12图系根据本发明之一实施例之系统架构的图 式方块图表示。 |
