| 主权项 |
1.一种发光二极体(LED)之封装结构,将LED晶片以倒 置晶片(flip-chip)方式焊接(die bonding)在矽晶辅助框 架内之U型腔室内,形成叠置封装模组,再将此模组 以倒置晶片表面封装于具有散热果效之铝制PC板 上,至少包含: 一个矽晶辅助框架(sub-mount),在正面形成正电极及 负电极之焊锡凸块(solder bump);在背面蚀刻穿透矽 晶片之U型腔室以供容纳LED晶片,利用蚀刻时之自 然遮罩在腔室内蒸镀正、负电极及反射面; 一片发光二极体(LED)晶片,可为一般习知技术制造 之晶片,具有基板、一个发光主动区,在正面有一 个正电极及一个负电极; 一片PC板,具有一层阳极氧化层、印刷电路及散热 装置; 将前述LED晶片以倒装晶片方式焊接于前述矽晶辅 助框架内,LED晶片之正电极及负电极分别对准矽晶 辅助框架之正电极及负电极,形成叠置封装模组; 将前述叠置封装模组以倒置晶片表面封装于前述 PC板上,在LED表面上形成一个微凸透镜。 2.如申请专利范围第1项之封装结构,其中该自然遮 罩为氮化矽(Si3N4)。 3.如申请专利范围第1项之封装结构,其中该电极及 负电极之焊锡凸块为交叉指状。 4.如申请专利范围第1项之封装结构,其中该蒸镀之 正、负电极为交叉指状。 5.如申请专利范围第1项之封装结构,其中该蒸镀之 正、负电极为圆柱形阵列。 6.如申请专利范围第1项之封装结构,其中该PC板之 散热装置系鳍状散热板。 7.如申请专利范围第1项之封装结构,其中该PC板之 散热装置系平面散热板。 8.如申请专利范围第1项之封装结构,其中该矽晶辅 助框架之正电极及负电极之焊锡凸块为电镀铜/锡 。 9.如申请专利范围第1项之封装结构,其中该发光二 极体为红色发光二极体。 10.如申请专利范围第1项之封装结构,其中该发光 二极体为蓝色发光二极体。 11.如申请专利范围第1项之封装结构,其中该发光 二极体为黄色发光二极体。 12.如申请专利范围第1项之封装结构,其中该微凸 透镜为球面。 13.如申请专利范围第1项之封装结构,其中该微凸 透镜为抛物面。 14.如申请专利范围第1项之封装结构,其中该叠置 封装模组亦可封装在一般接脚封装之基座上。 15.如申请专利范围第1项之封装结构,其中该矽基 板上形成穿透之蚀刻U型腔室阵列,将红、黄、绿 三色LED晶片倒转混合封装于U型腔室阵列中,以形 成显示器。 图式简单说明: 第1图为依据本发明之实施例之矽辅助框架(submount )之晶片制造程序示意图。 第1图(A)为在矽晶片上形成对准记号及接触窗步骤 之剖面图。 第1图(B)为形成焊锡凸块步骤之剖面图。 第1图(C)为形成U型腔室(Cavity)步骤之剖面图。第6 图系倒装晶片之LED晶片之剖面图。 第1图(D)为第三光罩之一实施例。 第1图(E)为第三光罩之一实施例。 第1图(F)为进行铝金属蒸镀(evaporation)步骤之示意 图。 第1图(G)为蒸镀完后矽基版之剖面图。 第2图系倒装晶片之LED晶片之剖面图。 第3图(A)系将LED晶片置入矽辅助框架之U型腔室内 以倒置晶片封装法形成之混合封装焊接后之剖面 图。 第3图(B)为矽辅助框架之金属正、负电极与LED晶片 上之正、负电极之关系位置图。 第3图(C)为另一实施例矽辅助框架之金属正、负电 极与LED晶片上之正、负电极之关系位置图。 第4图系以透明塑胶形成聚焦透镜之剖面图。 第5图系将混合封装之LED晶片及矽辅助框架以倒装 晶片方式焊接于铝质PC板上之剖面图。 第6图系将混合装之LED晶片及矽辅助框架以倒装晶 片方式封装在一般PC板上之剖面图。 第7图系依据本发明之实施例形成显示器之构造图 。 |
