| 主权项 |
1.一种用以研磨机械加工半导体晶圆(10)上之表面( 11,12)的方法,特别是在譬如记忆体元件或类似品之 电子零件的制造期间使用的方法, 其中要做机械加工处理的复数个表面(11,12)连续接 受一磨光步骤(B),该等表面在该期间在各情况下与 一薄片状磨光装置接触,该磨光装置(20)包括一磨 光磨粒载体和固定于其内之磨光磨粒(22)且相对于 此装置移动, 以使由于固定在磨光磨粒载体(21)内且可在磨光作 业(B)期间至少部分从载体物质(21)脱离之磨光磨粒 (22)与要在各情况下被机械加工的表面(11,12)之间 的交互作用,物质被从此表面(11,12)移除, 在各情况下,一个或更多个磨光步骤(B)之前有一调 整步骤(A)以重新产生磨光装置(20),其中该磨光装 置(20)与一具有显着形状起伏结构之调整表面(40) 彼此接触且彼此相对移动,结果使磨光装置表面(24 )在个别磨光步骤(B)开始的时候之起始状态彼此相 当, 其中 在第一种及/或在第一制造或重新处理阶段内之晶 圆表面(11,12)的机械加工期间,第二种及/或在第二 阶段内之晶圆表面(11,12)被使用当做调整表面(40) 。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中一调整步骤(A) 仅在要与磨光装置(20)接触的表面(11,12;40)选择方 面不同于一后续磨光步骤(B)。 3.如申请专利范围第1项或第2项之方法,其中该调 整表面(40)由硬陶瓷产生。 4.如申请专利范围第1项或第2项之方法,其中该调 整表面(40)有微小形状起伏一特别是粗糙度,其表 面尺寸约相当于要在磨光步骤(B)期间被机械加工 之晶圆结构(11,12)的表面尺寸。 5.如申请专利范围第1项或第2项之方法,其中该调 整表面(40)的形状起伏具有微小分布。 6.如申请专利范围第1项或第2项之方法,其中在第 一种及/或在第一制造或重新处理阶段内的晶圆表 面(11,12)之机械加工期间,第二种及/或在第二阶段 内的晶圆表面(11,12)被使用当做调整表面(40)。 图式简单说明: 图1以图画显示晶圆与磨光装置一部分之横断面示 意图; 图2以图画显示磨光装置一部分之横断面示意图, 该图厘清迟钝与重新产生效果的样子; 图3以图画显示根据本发明之处理程序的一种特别 具体实例。 |
