发明名称 非对称性浮水印
摘要 本发明揭示一种非对称性浮水印植入及产生侦测用金钥之方法。本发明之方法特别适合用来抵抗一般浮水印技术无法克服的投影攻击。该方法包括:在对一影像φo植入浮水印时,首先针对该原影像φo进行分析,找到适合植入浮水印之浮水印空间W。其次将该空间W再分割成两个互相正交之子空间g及h。选用一植入用金钥G,G为矩阵。G之各行向量形成子空间g之基底。计算矩阵H,HTG=0;矩阵H之各行数值为子空间h之基底。计算侦测用金钥D,方式如下:D=GT+BHT;其中,B为一矩阵。最后取得浮水印w,将该浮水印w植入于原影像φo中,得到浮水印影像φo:φw=φo+Gw。其中,Dφo=mo不可为0向量。
申请公布号 TWI272547 申请公布日期 2007.02.01
申请号 TW094125675 申请日期 2005.07.28
申请人 中央研究院 发明人 黄文良;曾正男;陈宜良
分类号 G06T1/00(2006.01) 主分类号 G06T1/00(2006.01)
代理机构 代理人 徐宏昇 台北市中正区忠孝东路1段83号20楼之2
主权项 1.一种非对称性浮水印植入及产生侦测用金钥之 方法,包括: 取得一原始影像之特征向量矩阵o; 针对该原始影像o进行分析,找到适合植入浮水 印之浮水印空间W; 将该空间W再分割成两个互相正交之子空间g及h; 选用一植入用金钥G,G为一矩阵;G之各行数値形成 子空间g之基底; 计算矩阵H,HTG=0;矩阵H之各行数値为子空间h之基底 ;及 计算侦测用金钥D,该金钥D为矩阵G及H之加权组合( weighted mixing)。 2.如申请专利范围第1项之非对称性浮水印植入及 产生侦测用金钥之方法,其中之侦测用金钥D系以 下式计算得出: D=GT+BHT; 其中,B为一矩阵。 3.如申请专利范围第1或2项之非对称性浮水印植入 及产生侦测用金钥之方法,另包括取得一浮水印w, 及以下式将该浮水印w植入于该原始影像o中,得 到浮水印影像w之步骤: w=o+Gw; 其中,mo=Do,mo为非0向量。 4.如申请专利范围第1或2项之非对称性浮水印植入 及产生侦测用金钥之方法,其中,该浮水印空间W系 将该原始影像o作特征分布分析后所得之子空间 。 5.如申请专利范围第1或2项之非对称性浮水印植入 及产生侦测用金钥之方法,其中,该浮水印空间W系 分析可能对该原始影像o产生破坏之攻击之分布 后,所得之攻击可能性较小之子空间。 6.如申请专利范围第5项之非对称性浮水印植入及 产生侦测用金钥之方法,其中,该浮水印空间W系分 析可能对该原始影像o产生破坏之攻击之分布, 并以SVD方法分析上述分布后,所得之特征値( eigenvalues)较小之组成分所代表之子空间。 7.如申请专利范围第1或2项之非对称性浮水印植入 及产生侦测用金钥之方法,其中,该浮水印空间W之 产生方法包括: 将该原始影像W进行多数种之影像处理,产生多数 仿冒影像(forged images); 自所得之仿冒影像中收集各影像之特征,计算各仿 冒影像的共变异数矩阵(covariance matrix):及 选择该共变异数矩阵中,涵括(spanned)特定数量相对 应特征値较小之特征向量(eigenvectors)所代表之空 间,作为浮水印空间W。 8.如申请专利范围第7项之非对称性浮水印植入及 产生侦测用金钥之方法,其中,选择该共变异数矩 阵中,代表浮水印空间W之特征向量之步骤包括将 所得之共变异数矩阵作SVD处理之步骤。 9.如申请专利范围第2项之非对称性浮水印植入及 产生侦测用金钥之方法,其中,B之一般式为: 其中,=(1/1+k),ui⊥s,vj⊥t,ci.j为实数,ci.j为由[-1,1] 随机选择之値。 图式简单说明: 第1图表示一种已知对称性浮水印加入方法流程图 。 第2图显示本发明非对称性浮水印适用之浮水印空 间技术简化系统图。 第3图表示本发明非对称性浮水印植入方法流程图 。 第4图即表示本发明非对称性浮水印植入方法一实 例之流程图。 第5图表示对加入本发明非对称性浮水印后之Lena 影像做模拟攻击之侦测结果示意图。图中横轴为 杂讯比,纵轴为比对讯号与侦测讯号间的夹角。 第6图为本发明应用在各种盲目攻击之结果示意表 。 第7图显示以投影攻击除去植有本发明非对称性浮 水印之Lena影像所得之结果。
地址 台北市南港区研究院路2段128号