| 主权项 |
1.一种正型光阻组成物,其为含有(A)经由酸之作用 而增大硷可溶性之树脂成份,与(B)经由放射线照射 而产生酸之酸产生剂成份之正型光阻组成物,其特 征为, 前述(A)成份为具有,含有具单环或多环式基之酸解 离性溶解抑制基之(-低级烷基)丙烯酸酯所衍生 之结构单位(a1)、具有内酯环之(-低级烷基)丙烯 酸酯所衍生之结构单位(a2)、含有具极性基之多环 式基之(-低级烷基)丙烯酸酯所衍生之结构单位( a3)、及式(1)所示结构单位(a4)之共聚物,又,前述结 构单位(a4)之比例于前述(A)成份中为3莫耳%以上、 未达10莫耳%, (式中,R11为低级烷基或氢原子,R12为硷可溶性基)。 2.如申请专利范围第1项之正型光阻组成物,其结构 单位(a4)中,R12为羧基。 3.如申请专利范围第1项之正型光阻组成物,其结构 单位(a3)中,极性基为醇性羟基。 4.如申请专利范围第1项之正型光阻组成物,其中, 结构单位(a1)之比例于上述(A)成份中为20至60莫耳% 。 5.如申请专利范围第1项之正型光阻组成物,其中, 结构单位(a2)之比例于上述(A)成份中为20至60莫耳% 。 6.如申请专利范围第1项之正型光阻组成物,其中, 结构单位(a3)之比例于上述(A)成份中为10至50莫耳% 。 7.如申请专利范围第1项之正型光阻组成物,尚含有 含氮有机化合物。 8.如申请专利范围第1项之正型光阻组成物,其中, 前述结构单位(a1)~(a4)之含量系以结构单位(a1)~(a4) 之合计相对于构成前述(A)成份之全结构单位,为含 有70莫耳%以上、100莫耳%以下之比例。 9.一种光阻图型之形成方法,其特征为将申请专利 范围第1至8项中任一项之正型光阻组成物涂布于 支撑体上,经预烧培、选择性曝光后,施以PEB(曝光 后加热),经硷显影而形成光阻图型之方法。 10.如申请专利范围第9项之光阻图型之形成方法, 尚包含于前述支撑体上所形成之前述光阻图型上, 涂布水溶性被覆形成剂以形成水溶性被膜之步骤, 与对由前述光阻图型与前述水溶性被膜所得层合 物施以热处理,使前述水溶性被膜热收缩之步骤。 |
