| 主权项 |
1.一种内埋元件之基板制程,包括: 提供一核心层,该核心层系由一第一讯号层、一第 一介电层、一第二介电层、一第三介电层以及一 第二讯号层依序堆叠而成,其中该第一与第三介电 层呈固化态,而该第二介电层呈半固化态; 形成一埋孔于该核心层中,并放置一内埋元件于该 埋孔中,而该内埋元件具有至少一电极; 配置一第一叠合层于该第一讯号层上,而该第一叠 合层包括一第一金属层以及一第四介电层; 配置一第二叠合层于该第二讯号层上,而该第二叠 合层包括一第二金属层以及一第五介电层; 压合该第一叠合层、该核心层以及该第二叠合层, 以使该第二介电层填入于该埋孔中,并包覆于该内 埋元件之周围表面; 电性导通该内埋元件以及该第一金属层;以及 图案化该第一与第二金属层,以分别形成一第一表 面线路层以及一第二表面线路层。 2.如申请专利范围第1项所述之内埋元件之基板制 程,其中提供该核心层之步骤中,包括: 预先图案化位于该第一介电层上之一金属层,以形 成该第一讯号层于该第一介电层上; 预先图案化位于该第三介电层上之另一金属层,以 形成该第二讯号层于该第三介电层上;以及 放置该第二介电层于该第一介电层与该第三介电 层之间,并相互堆叠以形成该核心层。 3.如申请专利范围第1项所述之内埋元件之基板制 程,其中形成该埋孔之方式包括机械钻孔或雷射成 孔。 4.如申请专利范围第1项所述之内埋元件之基板制 程,其中该埋孔系为一贯孔,其贯穿该第一、第二 与第三介电层。 5.如申请专利范围第1项所述之内埋元件之基板制 程,其中该埋孔系为一凹孔,其凹陷于该第一、第 二介电层或该第二与第三介电层。 6.如申请专利范围第1项所述之内埋元件之基板制 程,其中该第四与第五介电层呈半固化态。 7.如申请专利范围第1项所述之内埋元件之基板制 程,其中电性导通该内埋元件以及该第一金属层之 步骤中,更包括形成多数个镀通孔,其贯穿该第一 叠合层、该核心层以及该第二叠合层,并电性连接 该第一金属层以及该第二金属层。 8.如申请专利范围第1项所述之内埋元件之基板制 程,其中导通该内埋元件与该第一金属层之步骤, 包括: 形成至少一钻孔于该核心层,并暴露出该内埋元件 之该电极;以及 形成一导电柱于该钻孔中,以导通该内埋元件与该 第一金属层。 9.如申请专利范围第8项所述之内埋元件之基板制 程,其中形成该钻孔方式包括雷射钻孔。 10.如申请专利范围第8项所述之内埋元件之基板制 程,其中形成该导电柱方式包括电镀。 11.如申请专利范围第1项所述之内埋元件之基板制 程,其中该内埋元件包括主动元件以及被动元件。 图式简单说明: 图1-图10依序绘示为本发明一较佳实施例之一种内 埋元件基板制程图。 |
