无电镀铜沉积制程

摘要

本发明提供一种藉由在一特征中沉积一种晶层(seed layer)并随后于无电沉积过程中以一含铜材料填满该特征，而在一基材上的接触特征中形成导电材料的方法。在一范例中，一无电铜沉积溶液含有多种平整剂(leveler)，以形成凸状或凹状的铜表面。在另一范例中，当进行准直物理气相沉积制程(collimated PVD)时，选择性的在该开孔的底面上沉积一层种晶层，同时使该些开孔侧壁实质上没有该种晶材料。在又一范例中，利用PVD制程一致性地沉积该种晶层，随后利用电浆蚀刻来移除一部分的种晶层及其下方膜层，以暴露出下层的接触表面。在又一范例中，使用四氧化钌(rutheniumtetroxide)化学前驱物藉由原子层沉积制程在一暴露出来的接触表面上形成一钌种晶层。