半导体元件之材料层的图案化方法

摘要

在图案化半导体元件材料层之材料层的蚀刻制程中防止光阻残渣形成之方法。利用氮气与氧气之处理来防止光阻残渣形成。此一处理可以同位(in–situ)方式进行，且可在蚀刻制程期间、蚀刻制程后、或蚀刻制程期间与蚀刻制程后进行。在低介电常数材料层之图案化期间进行此一处理，以及应用在隔离之介层窗图案的制作上，特别有其效用。