氮化物半导体元件之制法

摘要

本发明系一种氮化物半导体元件之制法，其中，提供不会使根据晶由长时间进行高温退火处理而发生之氮素空孔的形成问题产生，而进行受主之活性化，并具有载体浓度高之(低电阻之)p形的氮化物半导体层之氮化物半导体元件之制法，另，于基板(1)上，形成由氮化物半导体而成之半导体层积部(6)，并从其半导体层积部之表面侧，照射λ＝hc／E以下(E系为可切断Mg与H之结合的能量)之波长λ的雷射光，之后进行300～400℃的热处理，并且，与通常的氮化物半导体LED之制造工程同样地设置透光性导电层(7)，并于根据蚀刻去除半导体层积部之一部份而露出之n形层(3)，形成n侧电极(9)，而于透光性导电层表面，形成p侧电极(8)。