| 发明名称 |
用于多重闸极FET元件之新颖结构以及其制造方法A NOVEL STRUCTURE FOR A MULTIPLE-GATE FET DEVICE AND A METHOD FOR ITS FABRICATION |
| 摘要 |
一种用以形成一半导体元件之方法以及利用该方法制成之元件。在一实施例中，该方法包含在一半导体基材上形成一硬遮罩层；图案化该硬遮罩层而形成复数个开孔；经由该硬遮罩层之该些开孔蚀刻该基材而形成复数个沟渠，该些沟渠将复数个半导体台面隔开；以一介电材料部分填满该些沟渠；移除该硬遮罩层并且形成复数个多重闸极特征，每一多重闸极特征系与至少一个半导体台面的上表面以及侧壁接触。 |
| 申请公布号 |
TW200705607 |
申请公布日期 |
2007.02.01 |
| 申请号 |
TW095105995 |
申请日期 |
2006.02.22 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
陈宏玮;钟堂轩;吕昇达;张长昀;吴炳坤;王昭雄;杨富量 |
| 分类号 |
H01L21/8234(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L27/088(2006.01);H01L29/78(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/8234(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财 |
| 主权项 |
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| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
