| 摘要 |
本发明之目的在于提供一种电容层形成材料，其系可使电容电路之漏电流小者，该电容电路包括：介电层，其系使用溶胶–凝胶法、MOCVD法、溅镀蒸镀法之任一形成者。为达成该目的，采用一种电容层形成材料等，其系于在用于形成上部电极之第1导电层与用于形成下部电极之第2导电层之间包括介电层者，其特征在于：该介电层，系以溶胶–凝胶法、MOCVD法、溅镀蒸镀法之任一形成之氧化物介电膜，于构成该氧化物介电膜之粒子之间含浸树脂成分。又，作为关于本案发明之电容层形成材料之制造方法，采用一种制造方法，其特征在于：于下部电极之构成材料之表面，以溶胶–凝胶法、MOCVD法、溅镀蒸镀法之任一形成氧化物介电膜，于该氧化物介电膜之表面，涂工树脂清漆使之含浸，使树脂乾燥，使树脂硬化形成介电层，其后，于该介电层上设上部电极构成层。 |
