氮化物系半导体元件之制造方法及发光元件

摘要

本发明系关于一种氮化物系半导体元件之制造方法及发光元件，该氮化物系半导体元件之制造方法的特征为：包含如下步骤，亦即，于第一基板温度下使InxAlyGal–x–yN(0≦x，0≦y，x＋y＜1)缓冲层(2；12；22；32；42)于基板(1；11；21；31；41)上成长，并于第二基板温度下使第一导电型氮化物系半导体层(4；14；24；34；44)于缓冲层上成长；且第一温度为大于等于上述第二温度之温度。