具有共掺杂粗化层之发光二极体及其制造方法

摘要

一种具有共掺杂粗化层之发光二极体，包含一基材、一形成于该基材上的n型半导体层、一形成于该n型半导体层上的主动层、一形成于该主动层上的粗化层，及二分别电连接该粗化层和该n型半导体层的电极。该n型半导体层、主动层和粗化层是以氮化镓基础半导体材料所制成。该粗化层远离该主动层之一侧面上形成有复数向该主动层延伸的凹洞，且含有受体元素A和施体元素D，其中，该受体元素A的掺杂浓度大于该施体元素D的掺杂浓度。