高电子移动率电晶体、场效电晶体、磊晶基板、磊晶基板之制作方法及III族氮化物系电晶体之制作方法

摘要

本发明之目的在于提供具有高纯度之通道层及高电阻之缓冲层之高电子移动率电晶体。高电子移动率电晶体11系包含氮化镓构成之支持基体13、第1氮化镓系半导体构成之缓冲层15、第2氮化镓系半导体构成之通道层17、第3氮化镓系半导体构成之半导体层19、该电晶体11用之电极构造(闸极电极21、源极电极23及汲极电极25)。第3氮化镓系半导体之带隙大于第2氮化镓系半导体之带隙。第1氮化镓系半导体之碳浓度NC1系在4×1017cm–3以上。第2氮化镓系半导体之碳浓度NC2系不足4×1016cm–3。