| 摘要 |
本发明揭示一种高电压碳化矽(SiC)装置，例如，闸流体。在一具有一第二导电率类型的电压阻断SiC基板之一第一表面上提供具有一第一导电率类型之一第一SiC层。一第一SiC区域系提供于该第一SiC层上且具有该第二导电率类型。一第二SiC区域系提供于该第一SiC层内，具有该第一导电率类型且与该第一SiC区域相邻。在该电压阻断SiC基板之一第二表面上提供具有第一导电率类型之一第二SiC层。一第三SiC区域系提供于该第二SiC层上且具有该第二导电率类型。一第四SiC区域系提供于该第二SiC层上，具有该第一导电率类型且与该第三SiC区域相邻。分别在该等第一及第三SiC区域上提供第一及第二接点。还提供制造高电压SiC装置之相关方法。 |
