发明名称 可控制输廓形状之奈米薄膜制造方法
摘要 一种可控制轮廓形状之奈米薄膜制造方法,包括下列步骤:A.铝片表面处理;B.在铝片两侧表面之非反应区涂布阻隔层;C.在铝片两侧表面之反应区预成凹槽;D.阳极氧化处理;E.除去铝片上之氧化铝膜片;F.重复C、D步骤N次; G.第N+1次阳极氧化处理;H.去除铝片之非反应区;I.贯通氧化铝膜片;藉以获得具有特定形状奈米孔之金属膜片者。
申请公布号 TWI272244 申请公布日期 2007.02.01
申请号 TW094131562 申请日期 2005.09.14
申请人 远东技术学院 发明人 丁永强
分类号 B82B3/00(2006.01);C25C1/02(2006.01) 主分类号 B82B3/00(2006.01)
代理机构 代理人 李文祯 台南市中西区府前路2段239号2楼
主权项 1.一种可控制轮廓形状之奈米薄膜制造方法,包括 下列步骤: A.铝片表面处理 清洁铝片表面; B.在铝片两侧表面之非反应区涂布阻隔层; C.在铝片两侧表面之反应区预成凹槽 在铝片两侧表面之反应区上预先设计好的位置形 成凹槽,铝片表面上之每一凹槽均与铝片另一表面 之对应凹槽相对齐; D.阳极氧化处理 将上述铝片置于电解液中进行阳极氧化处理,使金 属铝片之凹槽加深,且金属铝片在其两侧表面依上 述凹槽位置形成具有孔洞之多孔性氧化铝膜片; E.除去铝片上之氧化铝膜片 以化学药剂将铝片表面之氧化铝除去,余留具有较 深凹槽之铝片; F.重复C、D步骤N次; G.第N+1次阳极氧化处理 金属铝片在其两侧表面之反应区形成多孔性氧化 铝膜片,该膜片依前述凹槽位置而布列有规则性之 奈米孔洞; H.去除铝片之非反应区; I.贯通氧化铝膜片 利用化学药剂将多孔性氧化铝膜片中尚未完全相 通之奈米孔洞予以贯通,获得与上述反应区轮廓相 同之氧化铝膜片。 2.如申请专利范围第1项所述可控制轮廓形状之奈 米薄膜制造方法,其中B步骤中涂布于非反应区阻 隔层之材质为铁弗龙。 3.如申请专利范围第1项所述可控制轮廓形状之奈 米薄膜制造方法,其中C步骤中,系利用e-bean、x-ray 、ion-bean、eaching、压模等方式,在铝片表面形成微 小凹槽。 4.如申请专利范围第1项所述可控制轮廓形状之奈 米薄膜制造方法,其中I步骤中所产生之多孔性氧 化铝膜片,系另利用化学药剂扩大其奈米孔洞之孔 径。 图式简单说明: 第一图系本发明之流程图。 第二图系本发明之铝片非反应区涂布阻隔层之示 意图。 第三图系本发明之铝片反应区凹槽成型示意图。 第四图系本发明之阳极氧化处理示意图。 第五图系本发明之铝片经多次阳极氧化处理与除 去氧化铝膜片后之示意图。 第六图系本发明之铝片经最后一次阳极氧化处理 后之成品示意图。 第七图系本发明去除铝片非反应区之结构示意图 。 第八图系本发明之产生成品之结构示意图。
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