| 主权项 |
1.一种半导体装置的制造方法,包含: 在基底上形成非晶半导体层; 将非晶半导体层图形化为所需要的形状,以形成第 一半导体岛和标记; 将会聚为椭圆或矩形形状的雷射照射到包括第一 半导体岛的区域,同时相对于基底进行扫描以晶化 第一半导体岛; 将已晶化的第一半导体岛图形化为所需要的形状, 并形成第二半导体岛;以及 使用第二半导体岛作为主动层形成薄膜电晶体,并 使用薄膜电晶体建构电路, 其中,在半导体装置的在一单元电路中的所有薄膜 电晶体的主动层,由已晶化的第一半导体岛之一形 成。 2.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法, 其中设置所有的薄膜电晶体以使得其通道形成区 中的电荷移动方向一致的近似平行排列。 3.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法, 其中单元电路是电流源、电流镜电路、微分放大 器电路和运算放大器电路之一。 4.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法, 其中雷射光是从连续波固体雷射器、气体雷射器 和金属雷射器之一振荡的。 5.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法, 其中雷射是从选自由连续波YAG雷射器、YVO4雷射器 、YLF雷射器、YAlO3雷射器、玻璃雷射器、红宝石 雷射器、翠绿宝石雷射器和Ti:蓝宝石雷射器组成 的组中的一个雷射器中振荡的。 6.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法, 其中雷射是从选自由连续波准分子雷射器、Ar雷 射器、Kr雷射器和CO2雷射器组成的组中的一个雷 射器中振荡的。 7.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法, 其中雷射是从选自由连续波氦-镉雷射器,铜蒸气 雷射器和金蒸气雷射器组成的组中的一个雷射器 中振荡的。 8.一种半导体装置的制造方法,包含, 在基底上形成非晶半导体层; 在非晶半导体层上形成含金属的层;藉由加热非晶 半导体层以形成结晶半导体层; 将结晶半导体层图形化为所需要的形状,以形成第 一半导体岛和标记; 将会聚为椭圆或矩形形状的雷射照射到包括第一 半导体岛的区域,同时相对于基底进行扫描; 将第一半导体岛图形化为所需要的形状,以形成第 二半导体岛;以及 使用第二半导体岛作为主动层形成薄膜电晶体,并 使用薄膜电晶体建构电路, 其中,在半导体装置的一单元电路中的所有薄膜电 晶体的主动层以第一半导体岛之一形成。 9.如申请专利范围第8项之半导体装置的制造方法, 其中设置所有的薄膜电晶体,使得其通道形成区中 的电荷移动方向一致近似平行排列。 10如申请专利范围第8项之半导体装置的制造方法, 其中单元电路是电流源、电流镜电路、微分放大 器电路和运算放大器电路之一。 11.如申请专利范围第8项之半导体装置的制造方法 ,其中雷射是从连续波固体雷射器、气体雷射器和 金属雷射器之一中振荡的。 12.如申请专利范围第8项之半导体装置的制造方法 ,其中雷射是从选自由连续波YAG雷射器、YVO4雷射 器、YLF雷射器、YAlO3雷射器、玻璃雷射器、红宝 石雷射器、翠绿宝石雷射器和Ti:蓝宝石雷射器组 成的组中的一个雷射器中振荡的。 13.如申请专利范围第8项之半导体装置的制造方法 ,其中雷射是从选自由连续波准分子雷射器、Ar雷 射器、Kr雷射器和CO2雷射器组成的组中的一个雷 射器中振荡的。 14.如申请专利范围第8项之半导体装置的制造方法 ,其中雷射是从选自由连续波氦-镉雷射器,铜蒸气 雷射器和金蒸气雷射器组成的组中的一个雷射器 中振荡的。 15.一种半导体装置,包含:至少一个单元电路, 其中,在至少一个单元电路中的所有薄膜电晶体的 主动层由将任一半导体岛图形化为所需要的形状 而形成。 16.如申请专利范围第15项之半导体装置,其中该单 元电路是电流源、电流镜电路、微分放大器电路 和运算放大器电路之一。 17.一种半导体装置,包含至少一个单元电路, 其中,在至少一个单元电路中的所有薄膜电晶体的 主动层由将任一半导体岛图形化为所需要的形状 而形成,以及 其中,在至少一个单元电路中的所有薄膜电晶体设 置成使得其通道形成区中的电荷移动方向一致近 似平行地排列。 18.如申请专利范围第17项之半导体装置,其中该单 元电路是电流源、电流镜电路、微分放大器电路 和运算放大器电路之一。 19.一种半导体装置,包含至少一个单元电路, 其中,在至少一个单元电路中的所有薄膜电晶体的 主动层由将任一半导体岛图形化为所需要的形状 而形成,以及 其中,在至少一个单元电路中的所有薄膜电晶体设 置成使得其通道形成区中的电荷移动方向与照射 晶化半导体岛的雷射扫描方向一致近似平行地排 列。 20.如申请专利范围第19项之半导体装置,其中该单 元电路是电流源、电流镜电路、微分放大器电路 和运算放大器电路之一。 图式简单说明: 图1A-1D是本发明的实施例的说明图; 图2A-2D显示需要构成电路的TFT特别高一致性的实 例电路(电流镜电路和微分放大器电路); 图3A-3F显示从第一半导体岛的形成到TFT的形成的 步骤,和TFT的横截面; 图4A-4F说明从多个雷射点产生一合成的雷射点; 图5A-5E显示以藉由合成的雷射点晶化的第一半导 体岛和由第一半导体岛形成的第二半导体岛的TFT 构成的实例电路; 图6A-6C为雷射点及其能量密度分布的说明图; 图7是雷射照射过程的示意图; 图8是雷射照射过程的示意图; 图9A和9B是包括控制系统的雷射照射设备的示意图 ; 图10是依照雷射照射到半导体层上包括晶化的步 骤的实例流程; 图11是依照雷射照射到半导体层上包括晶化的步 骤的实例流程; 图12是依照雷射照射到半导体层上包括晶化的步 骤的实例流程; 图13是依照雷射照射到半导体层上包括晶化的步 骤的实例流程; 图14A-14E是基底上雷射扫描方向的实例的说明图; 图15A-15F是半导体装置的制造步骤的说明图; 图16A-16E是半导体装置的制造步骤的说明图; 图17是液晶显示装置的制造步骤的说明图; 图18A和18B是发光装置的制造步骤的说明图; 图19A和19B是照射基底期间雷射照射宽度变化的说 明图; 图20A和20B是照射基底期间雷射照射宽度变化和阻 挡雷射的说明图;和 图21A-21D显示在晶化第一半导体岛之后形成第二半 导体岛的实例技术。 |
