主权项 |
1.一种适用于半导体制程之模具,包括: 一底材,具有一模穴;以及 一镀膜材料,覆盖于该模穴之表面上,其系具有奈 米级晶粒结构,其中镀膜后之该模穴表面平均粗糙 度(Ra)为2.4m。 2.如申请专利范围第1项所述之适用于半导体制程 之模具,其中该镀膜材料系为铬、奈米铬或氮化铬 。 3.如申请专利范围第1项所述之适用于半导体制程 之模具,其中该镀膜材料系以溅镀,电镀方式其中 之一覆于该底材表面上。 4.如申请专利范围第1项所述之适用于半导体制程 之模具,其中该镀膜材料之晶粒尺寸小于100奈米。 5.如申请专利范围第1项所述之适用于半导体制程 之模具,其中该底材之材质包括金属合金以及钢材 其中之一。 6.如申请专利范围第1项所述之适用于半导体制程 之模具,其中该模穴之表面呈圆形以及楔形其中之 一。 7.如申请专利范围第1项所述之适用于半导体制程 之模具,其中已镀膜之该模穴表面系经一抛光处理 。 图式简单说明: 图1绘示本发明一较佳实施例之一种适用于半导体 制程之模具的局部表面放大示意图。 图2绘示本发明一较佳实施例之一种适用于半导体 制程之模具的示意图。 |