发明名称 发光装置
摘要 考虑到TFT基底的制作步骤,彩色滤光器层是根据相同的对准精度制备的。然而,由于其耐热温度大约是200℃,不能承受TFT大约450℃的加工温度。将发光元件和TFT排列成矩阵形状而形成像素部,在一个半透明电极和一个不透明电极构成的一对电极之间形成发光元件的具有发光特性的有机化合物层,使对应着各个像素形成的彩色滤光器的彩色层接触到发光元件和TFT之间由无机或有机材料构成的平坦绝缘膜的平面,相邻彩色层的边界区与闸极信号线或用来向TFT发送信号的资料信号线有重叠,并且半透明电极与彩色层的内侧有重叠。
申请公布号 TWI272723 申请公布日期 2007.02.01
申请号 TW092102669 申请日期 2003.02.10
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 山崎舜平
分类号 H01L29/786(2006.01);H05B33/00(2006.01) 主分类号 H01L29/786(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 1.一种发光装置,包含: 一薄膜电晶体,位于一基底之上; 一绝缘膜,覆盖于该薄膜电晶体之上并包含一选择 自以无机材质以及有机材质所构成之群组之材质; 一彩色滤光器,位于该绝缘膜之上,该彩色滤光器 包含至少第一、第二、以及第三彩色层,其中该第 一彩色层系设置在该第二以及第三彩色层之间;以 及 一发光元件,包含一发光层,该发光层包含设置于 一对电极之间且在该第一彩色层之上的一有机化 合物, 其中该发光元件之射出系经由该第一彩色层而发 出, 其中该第一彩色层系与该第二及第三彩色层直接 接触。 2.一种发光装置,包含: 一薄膜电晶体,位于一基底之上; 一绝缘膜,覆盖于该薄膜电晶体之上并包含一选择 自以无机材质以及有机材质所构成之群组之材质; 一彩色滤光器,位于该绝缘膜之上,该彩色滤光器 包含至少第一、第二、以及第三彩色层,其中该第 一彩色层系设置在该第二以及第三彩色层之间;以 及 一发光元件,包含一发光层,该发光层包含设置于 一对电极之间且在该第一彩色层之上的一有机化 合物, 其中该薄膜电晶体以及该发光元件系藉由一穿过 该绝缘膜以及该第一彩色层的一接线而相互接触, 其中该发光元件之射出系经由该第一彩色层而发 出, 其中该第一彩色层系与该第二及第三彩色层直接 接触。 3.一种发光装置,包含: 一薄膜电晶体以及一发光元件,以矩阵形状而设置 在一像素部分中,该发光元件包含一发光层,该发 光层包含一设置在一对电极之间的一有机化合物; 一彩色滤光器,对应于每个像素而设置,该彩色滤 光器包含至少第一、第二、以及第三彩色层,其中 该第一彩色层系设置于该第二与第三彩色层之间, 且经提供而与一绝缘膜接触,该绝缘膜包含选择自 以无机材质以及有机材质所构成之群组之材质,而 设置在该发光元件以及该薄膜电晶体之间, 其中相互相邻之彩色层之边界区系与用以传送一 信号至该薄膜电晶体的一资料信号线重叠, 其中该第一彩色层系与该第二及第三彩色层直接 接触。 4.一种发光装置,包含: 一薄膜电晶体以及一发光元件,以矩阵形状而设置 在一像素部分中,该发光元件包含一发光层,该发 光层包含一设置在一对透明电极之间的一有机化 合物以及一非透明电极; 一彩色滤光器,对应于每个像素而设置,该彩色滤 光器包含至少第一、第二、以及第三彩色层,其中 该第一彩色层系设置于该第二与第三彩色层之间, 且经提供而与一绝缘膜接触,该绝缘膜包含选择自 以无机材质以及有机材质所构成之群组之材质,而 设置在该发光元件以及该薄膜电晶体之间, 其中相互相邻之彩色层之边界区系与用以传送一 信号至该薄膜电晶体的一资料信号线重叠, 其中该第一彩色层系与该第二及第三彩色层直接 接触。 5.一种发光装置,包含: 一薄膜电晶体以及一发光元件,以矩阵形状而设置 在一像素部分中,该发光元件包含一发光层,该发 光层包含一设置在一对透明电极之间的一有机化 合物以及一非透明电极; 一彩色滤光器,对应于每个像素而设置,该彩色滤 光器包含至少第一、第二、以及第三彩色层,其中 该第一彩色层系设置于该第二与第三彩色层之间, 且经提供而与一绝缘膜接触,该绝缘膜包含选择自 以无机材质以及有机材质所构成之群组之材质,而 设置在该发光元件以及该薄膜电晶体之间, 其中相互相邻之彩色层之边界区系与一信号线重 叠, 其中该第一彩色层系与该第二及第三彩色层直接 接触。 6.一种发光装置,包含: 一薄膜电晶体,位于一基底之上; 一绝缘膜,覆盖于该薄膜电晶体之上并包含一选择 自以无机材质以及有机材质所构成之群组之材质; 一彩色滤光器,位于该绝缘膜之上,该彩色滤光器 包含至少第一、第二、以及第三彩色层,其中该第 一彩色层系设置在该第二以及第三彩色层之间;以 及 一发光元件,包含一发光层,该发光层包含设置于 一对电极之间且在该第一彩色层之上的一有机化 合物, 其中该薄膜电晶体以及该发光元件系藉由穿过该 绝缘膜以及该第一彩色层之接线而相互连接,且 其中该发光元件之射出系经由该第一彩色层而发 出, 其中相互相邻之该彩色层之边界区系与一信号线 重叠, 其中该信号线系形成在该边界区之上且与该边界 区至少部分重叠。 7.一种发光装置,包含: 一薄膜电晶体,位于一基底之上; 一绝缘膜,覆盖于该薄膜电晶体之上并包含一选择 自以无机材质以及有机材质所构成之群组之材质; 一彩色滤光器,位于该绝缘膜之上,该彩色滤光器 包含至少第一、第二、以及第三彩色层,其中该第 一彩色层系设置在该第二以及第三彩色层之间;以 及 一发光元件,包含一发光层,该发光层包含设置于 一对电极之间且在该第一彩色层之上的一有机化 合物, 其中该薄膜电晶体以及该发光元件系藉由一穿过 该绝缘膜以及该第一彩色层的一接线而相互接触, 其中该发光元件之射出系经由该第一彩色层而发 出, 其中相互相邻之边界区系与一信号线重叠, 其中该第一彩色层系与该第二及第三彩色层直接 接触。 8.如申请专利范围第6项之发光装置,其中该信号线 系为一资料信号线以发射一信号至该薄膜电晶体 。 9.如申请专利范围第7项之发光装置,其中该信号线 系为一资料信号线以发射一信号至该薄膜电晶体 。 10.如申请专利范围第7项之发光装置,其中该信号 线系为一资料信号线以发射一信号至该薄膜电晶 体。 11.如申请专利范围第5项之发光装置,其中该信号 线系为一资料信号线以发射一信号至该薄膜电晶 体。 12.如申请专利范围第5项之发光装置,其中该信号 线系为一资料信号线以发射一信号至该薄膜电晶 体。 13.一种发光装置,包含: 一绝缘膜,形成在该基底之上; 一彩色滤光器,形成在该绝缘膜之上,该彩色滤光 器包含至少第一、第二、以及第三彩色层,其中该 第一彩色层系设置在该第二与第三彩色层之间; 一发光元件,包含一发光层,该发光层包含一设置 在一对电极之间且在该彩色层之上的有机化合物; 以及 一阻障层,覆盖在该第一电极之端部, 其中相互相邻之彩色层之边界区被形成,且该边界 区系与该阻障层重叠。 14.如申请专利范围第13项之发光装置,其中形成在 该第一电极之上之发光层之第一部分系较形成在 该阻障层上之发光层之第二部分为厚。 15.如申请专利范围第13项之发光装置,其中该发光 元件之射出系经过该第一彩色层而发出。 16.如申请专利范围第13项之发光装置,其中该第一 彩色层系为与该第二以及第三彩色层直接接触。 17.如申请专利范围第13项之发光装置,进一步包含 形成于该基底之上的一薄膜电晶体。 18.一种发光装置,包含: 一发光元件,以矩阵形状而设置在一像素部分中, 该发光元件包含一发光层,该发光层包含一设置在 一对透明电极之间的一有机化合物以及一非透明 电极; 一彩色滤光器,对应于每个像素而设置,该彩色滤 光器包含至少第一、第二、以及第三彩色层,其中 该第一彩色层系设置在该第二与第三彩色层之间1 并与一绝缘膜接触,并形成在该发光元件以及该绝 缘膜之间;以及 一阻障层,覆盖在该透明电极之端部, 其中相互相邻之彩色层之边界区系与一信号线重 叠, 其中相互相邻之彩色层的一边界区被形成,且该边 界区系与该阻障层重叠。 19.如申请专利范围第18项之发光装置,其中形成在 该第一电极之上之该发光层之第一部分系较形成 在该阻障层上之发光层之第二部分为厚。 20.如申请专利范围第18项之发光装置,其中该发光 元件之射出系经过该第一彩色层而射出。 21.如申请专利范围第18项之发光装置,其中该第一 彩色层系为与第二及第三彩色层直接接触。 22.如申请专利范围第18项之发光装置,进一步包含 形成于该基底上之薄膜电晶体。 23.一种发光装置,包含: 一绝缘膜,形成于一基底之上; 一彩色滤光器,形成于该绝缘膜上,该彩色滤光器 至少包含第一、第二、第三彩色层,其中该第一彩 色层系设置于该第二与第三彩色层之间; 一发光元件,包含一发光层,该发光层包含一形成 于该第一与第二电极之间并形成于该绝缘膜上的 有机化合物; 一阻障层,覆盖该第一电极之端部, 其中形成于该第一电极上之该发光层之第一部分 系较形成于该阻障层上之发光层之第二电极为厚 。 24.如申请专利范围第23项之发光装置,其中该发光 元件系形成在该第一彩色层之上。 25.如申请专利范围第23项之发光装置,其中相互相 邻之彩色层之边界区被形成,且该边界区系与该阻 障层相重叠。 26.如申请专利范围第23项之发光装置,其中该第一 彩色层系与该第二及第三彩色层直接接触。 27.如申请专利范围第23项之发光装置,其中该发光 元件之射出系经过该第一彩色层而射出。 28.如申请专利范围第23项之发光装置,其中相互相 邻之彩色层之边界区系与一信号线重叠。 29.如申请专利范围第23项之发光装置,进一步包含 形成在该基底上之薄膜电晶体。 30.一种发光装置,包含: 一绝缘膜,形成于一基底之上; 一彩色滤光器,形成于该绝缘膜上,该彩色滤光器 至少包含第一、第二、第三彩色层,其中该第一彩 色层系设置于该第二与第三彩色层之间; 一发光元件,形成在该绝缘膜之上,该发光元件至 少包含第一、第二以及第三发光层,其中该第一发 光层系设置于该第一与第二电极之间; 一阻障层,覆盖该第一电极之端部, 其中该第一、第二、以及第三发光层系包含一有 机化合物, 其中形成于该第一电极上之该发光层之第一部分 系较形成于该阻障层上之发光层之第二电极为厚 。 31.如申请专利范围第30项之发光装置,其中该发光 元件系形成在该第一彩色层之上。 32.如申请专利范围第30项之发光装置,其中相互相 邻之彩色层之边界区被形成,且该边界区系与该阻 障层相重叠。 33.如申请专利范围第30项之发光装置,其中该第一 彩色层系与该第二及第三彩色层直接接触。 34.如申请专利范围第30项之发光装置,其中该发光 元件之射出系经过该第一彩色层而射出。 35.如申请专利范围第30项之发光装置,其中相互相 邻之彩色层之边界区系与一信号线重叠。 36.如申请专利范围第30项之发光装置,进一步包含 形成在该基底上之薄膜电晶体。 图式简单说明: 图1的剖面图表示本发明装有彩色滤光器彩色层的 一种发光装置的构造; 图2的剖面图表示本发明装有彩色滤光器彩色层的 发光装置的制造步骤; 图3的剖面图表示本发明装有彩色滤光器彩色层的 发光装置的制造步骤; 图4的剖面图表示本发明装有彩色滤光器彩色层的 发光装置的制造步骤; 图5的顶视图表示一个发光装置的构造;以及 图6的顶视图表示本发明装有彩色滤光器彩色层的 发光装置中一个像素的构造。
地址 日本
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