| 主权项 |
1.一种电浆处理装置,其特征为: 在具有用以对于控制部和晶圆施加电浆处理之处 理室的电浆处理装置,前述处理室系具备检测处理 室内部之处理状态而输出复数个输出讯号之电浆 状态检测手段,前述控制部系具备:记忆过去晶圆 处理结果资讯和该过去晶圆处理时之电浆状态检 测资料及有关于两者之关系式的功能、由来自前 述电浆状态检测手段之处理室状态检测结果和前 述关系式而算出处理结果之预测値的功能、以及 藉由所算出之处理结果之预测値而评价处理室状 态的功能。 2.如申请专利范围第1项所记载之电浆处理装置,其 中,实施制品晶圆之处理;前述控制部系记忆过去 制品晶圆处理结果之资讯和该过去制品晶圆处理 时之电浆状态检测资料及有关于两者之关系式,由 来自制品晶圆处理时之电浆状态检测手段之电浆 状态检测资料和前述关系式而算出处理结果之预 测値,藉由所算出之处理结果之预测値而评价处理 室状态。 3.如申请专利范围第1项所记载之电浆处理装置,其 中,实施假基板之处理;前述控制部系记忆过去假 基板处理结果之资讯和该过去假基板处理时之电 浆状态检测资料及有关于两者之关系式,由来自假 基板处理时之电浆状态检测手段之电浆状态检测 资料和前述关系式而算出处理结果之预测値,藉由 所算出之处理结果之预测値而评价处理室状态。 4.如申请专利范围第1项所记载之电浆处理装置,其 中,在接近施加制品晶圆处理时期之相近时期,藉 由近似于制品处理之条件而实施假基板处理;处理 装置之控制部系记忆该假基板处理结果之资讯和 制品晶圆处理时之电浆状态检测资料及有关于两 者之关系式,由来自制品处理时之电浆状态检测手 段之电浆状态检测资料和前述关系式而算出在该 时间点之处理假基板之状态下之结果之预测値,藉 由所算出之处理结果之预测値而评价处理室状态 。 5.如申请专利范围第1项至第4项中任一项所记载之 电浆处理装置,其中,在由电浆状态检测结果和前 述关系式所算出之处理结果之预测値超过预先所 设定之既定値之状态下,显示是否知道其意思。 6.如申请专利范围第1项至第4项中任一项所记载之 电浆处理装置,其中,在该电浆处理装置所处理之 每一种制品,具有处理结果和前述关系式。 7.一种电浆处理方法,其特征为:在如申请专利范围 第2项所记载之电浆处理装置之电浆处理方法,实 施制品晶圆之处理,在所算出之处理结果之预测値 成为预先所设定之临限値以上之状态下,不进行以 后之制品晶圆之处理。 8.一种电浆处理方法,其特征为:在如申请专利范围 第3项所记载之电浆处理装置之电浆处理方法,实 施假基板之处理,在所算出之处理结果之预测値成 为预先所设定之临限値以上之状态下,不进行以后 之假基板之处理。 9.一种电浆处理方法,其特征为:在如申请专利范围 第4项所记载之电浆处理装置之电浆处理方法,藉 由近似于制品处理之条件而实施假基板之处理,在 所算出之处理预测値成为预先所设定之临限値以 上之状态下,不进行以后之制品晶圆之处理。 10.如申请专利范围第1项所记载之电浆处理装置, 其中,实施假基板之处理;前述控制部系记忆藉由 过去近似条件所造成之假基板处理结果之资讯和 同时期于该过去假基板处理时之电浆状态检测资 料及有关于两者之关系式,由来自假基板处理时之 电浆状态检测手段之电浆状态检测资料和前述关 系式而算出处理结果之预测値,藉由所算出之处理 结果之预测値而评价处理室状态。 图式简单说明: 第1图系具备说明本发明之第一实施例之装置状态 监视系统之电浆处理装置之概略图。 第2图系说明本发明之第一实施例之演算流程。 第3图系说明本发明之第一实施例之演算结果显示 例。 第4图系说明本发明之第二实施例之演算流程。 第5图系说明本发明之第二实施例之演算结果显示 例。 第6图系说明本发明之第三实施例之演算流程。 第7图系说明本发明之第三实施例之演算结果显示 例。 第8图系说明使用复数个本发明之处理装置之制品 处理形态之图。 第9图系说明本发明之第四实施例之半导体基板之 概略剖面图。 第10图系说明本发明之第四实施例之演算流程。 第11图系说明本发明之第四实施例之演算结果显 示例。 |
