| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,包含下列步骤: 使用位于一处理室中之一电浆产生器,该电浆产生 器具有一阴极与一阳极,该阴极系安置有将受到处 理的一半导体基板且该阳极系排列成面对着该阴 极; 导引一处理气体至该处理室内; 藉由施加一射频功率于该阴极上而产生电浆于该 处理室中; 施加一所期望的处理于该半导体基板; 当施加复数个处理步骤于该半导体基板同时固持 该半导体基板时,因应每一步骤中之处理而切换每 一步骤的射频功率之大小;以及 在持续产生该电浆的情况下连续地实行该复数个 步骤。 2.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法, 其中: 该处理气体之种类系依据该复数个处理步骤而切 换。 3.如申请专利范围第2项之半导体装置之制造方法, 其中: 该处理气体不使用氟。 4.如申请专利范围第2项之半导体装置之制造方法, 其中: 该处理气体系使用选自于由氦、氖、氩、氪、氡 、氧、以及氮所组成之族群中之一气体。 5.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法, 其中: 于该复数个步骤中之两相邻步骤间插入一辅助步 骤,该辅助步骤之功率系介于该两相邻步骤之功率 间的一中间値。 6.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法, 其中: 于该复数个步骤中之两相邻步骤间插入一辅助步 骤,该辅助步骤之功率系于该两相邻步骤之功率间 缓慢改变。 7.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法, 其中: 于该复数个步骤中之第一步骤之前设一辅助步骤, 该辅助步骤之功率系于0与该第一步骤之功率间缓 慢增加。 8.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法, 其中: 于该复数个步骤之最后步骤之后设一辅助步骤,该 辅助步骤之功率系超过于该最后步骤之功率。 9.一种半导体制造设备,包含: 一处理室; 一阴极,位于该处理室中,安置有将受到处理的一 半导体基板; 一阳极电极,位于该处理室中,排列成面对着该阴 极,藉由导引一处理气体至该处理室内且经由施加 一射频功率于该阴极上而产生电浆于该处理室中, 使该半导体基板遭受所期望的处理;以及 一射频功率控制单位,藉由因应复数个处理步骤中 之每一步骤而在持续产生该电浆的情况下切换一 射频功率同时固持该半导体基板于该处理室中,以 施加该射频功率于该阴极上。 10.如申请专利范围第9项之半导体制造设备,更包 含: 一电位差供给单位,用以增强该处理室与形成于该 处理室中之一电浆之间的一电位差。 11.如申请专利范围第10项之半导体制造设备,其中: 该电位差供给单位包含一负电源,用以供给一负电 位至该处理室。 12.一种半导体制造设备,包含: 一处理室; 一阴极,位于该处理室中,安置有将受到处理的一 半导体基板;以及 一阳极电极,位于该处理室中,一排列成面对着该 阴极,藉由导引一处理气体至该处理室内且经由施 加一射频功率于该阴极上而产生电浆于该处理室 中,使该半导体基板遭受所期望的处理; 使用于该半导体制造设备中之至少一元件系由介 电常数近似该处理室中所沉积的反应物之一材料 所形成。 13.一种半导体制造设备,包含: 一处理室; 一阴极,位于该处理室中,安置有将受到处理的一 半导体基板;以及 一阳极电极,位于该处理室中,排列成面对着该阴 极,藉由导引一处理气体至该处理室内且经由施加 一射频功率于该阴极上而产生电浆于该处理室中, 使该半导体基板遭受所期望的处理; 使用于该半导体制造设备中之至少一元件系由弹 性模数近似该处理室中所沉积的反应物之一材料 所形成。 14.一种半导体制造设备,包含: 一阴极,位于该处理室中,安置有将受到处理的一 半导体基板;以及 一阳极电极,位于该处理室中,排列成面对着该阴 极,藉由导引一处理气体至该处理室内且经由施加 一射频功率于该阴极上而产生电浆于该处理室中, 使该半导体基板遭受所期望的处理; 使用于该半导体制造设备中之至少一元件系由介 电常数与弹性模数近似该处理室中所聚集的反应 物之一材料。 图式简单说明: 图1系显示在现存的半导体装置之制造方法中,使 用电浆蚀刻器进行处理时,射频功率随着时间之变 化; 图2系显示在现存的半导体装置制造方法中,经由 复数个连续步骤进行使用电浆蚀刻器之复数个处 理时,射频功率随着时间之变化。 图3系显示在本发明之第一实施例中使用于半导体 装置之制造方法中之电浆蚀刻器之组态; 图4系显示经由复数个连续步骤进行使用图3所示 电浆蚀刻器之复数个处理时,射频功率随着时间之 变化; 图5A、5B、与5C系依序显示本发明之半导体装置之 制造方法之制程图; 图6A与6B系依序显示本发明之半导体装置之制造方 法之制程图; 图7系显示在本发明第二实施例之半导体装置之制 造方法中,经由复数个连续步骤进行使用电浆蚀刻 器之复数个处理时,射频功率随着时间之变化; 图8系显示在本发明第三实施例之半导体装置之制 造方法中,经由复数个连续步骤进行使用电浆蚀刻 器之复数个处理时,射频功率随着时间之变化; 图9系显示在本发明第四实施例之半导体装置之制 造方法中,经由复数个连续步骤进行使用电浆蚀刻 器之复数个处理时,射频功率随着时间之变化; 图10系显示在本发明第五实施例之半导体装置之 制造方法中,经由复数个连续步骤进行使用电浆蚀 刻器之复数个处理时,射频功率随着时间之变化; 图11系显示本发明第六实施例之电浆蚀刻器之组 态; 图12系显示在使用电浆之半导体制造设备中电浆 产生时在垂直方向上之静电电位分布; 图13系显示本发明第七实施例之电浆蚀刻器之组 态; 图14系显示用于观察微粒之微粒监视系统之组态; 图15系显示在图14所示的微粒监视系统操作时各种 参数(纵轴)与时间(横轴)间之关系; 图16系显示藉由图14所示之微粒监视系统所观察的 在蚀刻一开始后所产生的微粒之行为;以及 图17系显示藉由图14所示之微粒监视系统所观察的 在停止蚀刻后所产生的微粒之行为。 |
