| 主权项 |
1.一种高纯度磷酸,其特征在于:作为在H3PO4之浓度 换算成为85重量%时之不纯物含量,系Sb成为200ppb以 下并且硫化物离子成为200ppb以下。 2.如申请专利范围第1项之高纯度磷酸,其中,藉由 进行:在粗磷酸,过剩地吹入硫化氢气体,使得该粗 磷酸所包含之不纯物金属成为硫化物而进行沉淀 之第1制程;过滤在第1制程所得到之磷酸之第2制程 ;以及在第2制程结束后,在除去塔内,接触磷酸和空 气,除去磷酸中之所包含之硫化氢气体之第3制程; 并且,在59℃以下,来进行第1及第2制程所得到。 3.如申请专利范围第1项之高纯度磷酸,其中,前述 粗磷酸系在燃烧黄磷而使得五氧化二磷来生成气 体后,水合该气体而得到之乾式磷酸。 4.如申请专利范围第1项之高纯度磷酸,其中,使用 在电子元件之蚀刻。 5.一种高纯度磷酸之制造方法,其特征在于包括:在 包含不纯物金属之粗磷酸,过剩地吹入硫化氢气体 ,使得该粗磷酸所包含之不纯物金属成为硫化物而 进行沉淀之第1制程;过滤在第1制程所得到之磷酸 之第2制程;以及在第2制程结束后,在除去塔内,接 触磷酸和空气,除去磷酸中之所包含之硫化氢气体 之第3制程;并且,在59℃以下,来进行第1及第2制程 。 6.如申请专利范围第5项之高纯度磷酸之制造方法, 其中,在第1制程和第2制程间,进行熟化制程。 7.如申请专利范围第5项之高纯度磷酸之制造方法, 其中,第1制程系在将填充物予以填充之吸收塔内, 接触粗磷酸和硫化氢气体,而进行第1制程。 8.如申请专利范围第5项之高纯度磷酸之制造方法, 其中,第3制程系在将填充物予以填充之吸收塔内, 接触磷酸和空气,而进行第3制程。 9.如申请专利范围第5项之高纯度磷酸之制造方法, 其中,前述包含不纯物金属之粗磷酸系在燃烧黄磷 而使得五氧化二磷来生成气体后,水合该气体而得 到之乾式磷酸。 图式简单说明: 图1系显示硫化物离子之分析方法之说明图。 |
