| 主权项 |
1.一种曝光半导体晶圆(10)之方法,其藉由调整一曝 光工具的曝光参数,并一步接着一步投射一遮罩之 一图案至该半导体晶圆(10)上进入形成于该晶圆(10 )上的一矩阵配置之各曝光范围(22)上其包含: -一第一步骤,其中该曝光范围(22)的矩阵配置系区 分成至少两个区域(20,20'),各区域(20,20')皆提供了 包含一曝光工具之剂量及焦距之不同曝光参数(30) 之不同组合,及 -一第二步骤,其中各曝光范围(21)使用该组曝光参 数(30)来曝光,其系附加到关于该曝光范围(21)之区 域(20,20'), 其中该第一及第二步骤执行于半导体晶圆(10)上来 执行,其以一抗蚀剂覆盖在一保护层上,提供给该 矩阵配置分割成之各该区域之该等曝光参数系经 决定以补偿一配置于该抗蚀剂之下之保护层之改 变的反射性。 2.如申请专利范围第1项之曝光半导体晶圆(10)之方 法,其特征在于 该第二步骤于许多半导体晶圆(10)上重复,而该区 域(20,20')的内容及设计,以及各曝光范围(21)的该组 曝光参数(30),对于该数量的所有半导体晶圆(10)皆 保持固定。 3.如申请专利范围第1或2项之曝光半导体晶圆(10) 之方法,其特征在于 根据该第一步骤而区分成区域(20,20')系如下来执 行 -首先,对于各曝光范围(21)决定该组曝光参数(30)的 范围,其使得该曝光可达到一给定的品质, -其次,藉由关连各曝光范围(21)到该区域(20,20'),其 中所有附加的曝光参数(30)之组合皆在该曝光范围 (21)的曝光参数(30)组合之范围内。 4.如申请专利范围第1或2项之曝光半导体晶圆(10) 之方法,其特征在于 该曝光工具为一晶圆步进机或扫描机,一电子束, 雷射光束,离子投射束,或一X射线微影工具。 5.如申请专利范围第1或2项之曝光半导体晶圆(10) 之方法,其特征在于 该区域为该半导体晶圆(10)的一连续外部边缘区域 (20)及一连续内部区域(20'),而隔开内部区域曝光范 围(21)与外部区域曝光范围(21)之圆形半径,可以进 行调整。 6.如申请专利范围第1或2项之曝光半导体晶圆(10) 之方法,其特征在于 该半导体晶圆(10)具有一至少为300毫米之直径。 图式简单说明: 图1所示为一记忆体晶片上的熔丝组合,其部份由 抗蚀剂残留所覆盖。 图2所示为该保护层的反射性百分比做为电浆氮化 物(Si3N4)层厚度(x轴)及电浆氧化物(SiO2)层厚度(y轴) 的函数。 图3所示为一晶圆的微影发射地图,该曝光范围矩 阵系区分成两个选择性曝光的区域。 图4所示为图3所示的两个区域,即一内部圆形区域( a)及一外部边缘区域(b),其曝光参数组合的评估,即 剂量与焦距。 图5所示为在开始该晶圆曝光之前一Canon i5L晶圆步 进机的设置流程。 图6所示为在图3所示的两个区域之边界处,即一外 部边缘区域曝光范围(a),及一内部圆形区域曝光范 围(b),其相邻曝光范围的熔丝品质。 图7所示为由2000年1月到6月一测试生产的重工量, 其箭头表示开始根据本发明的新制程。 |
