| 主权项 |
1.一种研磨剂,其特征系具有结晶粒场之氧化铈之 最大径为3000nm以下, 前述氧化铈粒子系具有气孔, 以使用比重瓶测定之真密度和x射线辐射带解析所 求得之理论密度之比所求得之前述氧化铈粒子之 气孔率为10-30%。 2.一种研磨剂,其特征系具有结晶粒场之氧化铈之 最大径为600nm以下, 前述氧化铈粒子系具有气孔, 以使用比重瓶测定之真密度和x射线辐射带解析所 求得之理论密度之比所求得之前述氧化铈粒子之 气孔率为10-30%。 3.一种研磨剂,其特征系具有结晶粒场之氧化铈之 最大径为3000nm以下, 前述氧化铈粒子系具有气孔, 经由B.J.H.法测定之前述氧化铈粒子之细孔容积为0 .02-0.05cm3/g者。 4.一种研磨剂,其特征系具有结晶粒场之氧化铈之 最大径为600nm以下, 前述氧化铈粒子系具有气孔, 经由B.J.H.法测定之前述氧化铈粒子之细孔容积为0 .02~0.05cm3/g者。 5.如申请专利范围第1项或第3项之研磨剂,其中,上 述氧化铈粒子之结晶子之最大径为600nm以下者。 6.如申请专利范围第1项或第2项之研磨剂,其中,经 由B.J.H.法测定之前述氧化铈粒子之细孔容积为0.02 -0.05cm3/g者。 7.如申请专利范围第1-4项之任一项之研磨剂,其中, 前述氧化铈粒子系容量密度为6.5g/cm3者。 8.如申请专利范围第1-4项之任一项之研磨剂,其中, 前述媒体为水。 9.如申请专利范围第1-4项之任一项之研磨剂,其中, 前述淤浆包含分散剂。 10.如申请专利范围第1-4项之任一项之研磨剂,其中 ,前述分散液为至少一种选自水溶液有机高分子、 水溶液阴离子界面活性剂、水溶液非离子界面活 性剂及水溶液胺类者。 11.如申请专利范围第1-4项之任一项之研磨剂,其中 ,前述分散剂为聚丙烯酸系聚合物。 12.如申请专利范围第1-4项之任一项之研磨剂,其中 ,粒径1m以上之氧化铈粒子占有氧化铈粒子全量 之0.1重量%者。 13.如申请专利范围第1-4项之任一项之研磨剂,其中 ,具有前述结晶粒场之氧化铈粒子系具有崩解研磨 之性质。 14.如申请专利范围第1-4项之任一项之研磨剂,其中 ,具有前述结晶粒场之氧化铈粒子系具备生成不与 媒体接触之新面地加以研磨之性质。 15.如申请专利范围第1-4项之任一项之研磨剂,其中 ,研磨所定之基板后之经由离心沈降法测定之粒径 0.5m以上之氧化铈粒子之含量之研磨前对于该含 有量之比率为0.8以上者。 16.如申请专利范围第1-4项之任一项之研磨剂,其中 ,研磨所定之基板后之经由雷射挠射法测定之d90体 积%之氧化铈粒子之对于研磨前该粒子径之比率为 0.4以上0.9以下者。 17.一种基板之研磨法,其特征系使用申请专利范围 第1项之研磨剂,研磨所定之基板者。 18.一种基板之研磨法,其特征系使用申请专利范围 第2项之研磨剂,研磨所定之基板者。 19.一种基板之研磨法,其特征系使用申请专利范围 第3项之研磨剂,研磨所定之基板者。 20.一种基板之研磨法,其特征系使用申请专利范围 第4项之研磨剂,研磨所定之基板者。 21.如申请专利范围第17-20项之任一项之基板之研 磨法,其中,前述所定之基板之强度较氧化铈粒子 之粒场玻坏强度为大者。 22.如申请专利范围第17-20项之任一项之基板之研 磨法,其中,前述所定之基板为形成矽膜之半导体 晶片者。 23.一种半导体装置之制造法,其特征系将形成矽膜 之半导体晶片,以如申请专利范围第1项之研磨剂 加以研磨的工程。 24.一种半导体装置之制造法,其特征系将形成矽膜 之半导体晶片,以如申请专利范围第2项之研磨剂 加以研磨的工程。 25.一种半导体装置之制造法,其特征系将形成矽膜 之半导体晶片,以如申请专利范围第3项之研磨剂 加以研磨的工程。 26.一种半导体装置之制造法,其特征系将形成矽膜 之半导体晶片,以如申请专利范围第4项之研磨剂 加以研磨的工程。 |
