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Die Erfindung bezieht sich auf ein integriertes Halbleiterschaltkreisbauelement, das ein Halbleitersubstrat (100) mit einem ersten Dotierstoff, eine erste leitfähige Schichtstruktur (220), die auf dem Halbleitersubstrat ausgebildet ist, eine dielektrische Zwischenschicht (410), die auf der ersten leitfähigen Schichtstruktur ausgebildet ist, und eine zweite leitfähige Schichtstruktur (430) beinhaltet, die auf der dielektrischen Zwischenschicht ausgebildet ist, sowie auf ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen integrierten Halbleiterschaltkreisbauelements. DOLLAR A Erfindungsgemäß beinhaltet das integrierte Halbleiterschaltkreisbauelement eine erste Vakuum-Ultraviolett-Blockierschicht (440), die auf der zweiten leitfähigen Schichtstruktur und der dielektrischen Zwischenschicht ausgebildet ist, um eine Vakuum-Ultraviolett-Strahlung zu blockieren, die auf das Halbleitersubstrat eingestrahlt wird. DOLLAR A Verwendung z. B. für integrierte Halbleiterschaltkreise von System-auf-Chip-Bauelementen, Mikrocontrollereinheiten und Anzeigetreibern.
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