| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer vergrabenen Stoppzone in einem Halbleiterkörper (100) und ein Halbleiterbauelement mit einer Stoppzone. Das Verfahren umfasst die Verfahrensschritte aufweist: DOLLAR A Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (100) der eine erste und eine zweite Seite (101, 102) und eine Grunddotierung eines ersten Leitungstyps aufweist, DOLLAR A Bestrahlen des Halbleiterkörpers (100) über eine der Seiten (101, 102) mit Protonen, wodurch Protonen in einen beabstandet zu der Bestrahlungsseite (101) gelegenen ersten Bereich (111) des Halbleiterkörpers (100) eingebracht werden, DOLLAR A Durchführen eines Temperaturprozesses, bei dem der Halbleiterkörper (100) für eine vorgegebene Zeitdauer auf eine vorgegebene Temperatur aufgeheizt wird, wobei die Temperatur und die Dauer so gewählt sind, dass wasserstoffinduzierte Donatoren sowohl in dem ersten Bereich (111) also auch in einem sich an den ersten Bereich (111) in Richtung der Bestrahlungsseite (101) anschließenden zweiten Bereich (112) erzeugt werden.</p> |
