发明名称 Halbleitersubstrat, Verfahren zu dessen Herstellung sowie Verfahren zum Herstellen eines Schaltungsmoduls
摘要 Vorgeschlagen werden ein Halbleitersubstrat (1) und ein Verfahren zu dessen Herstellung, bei welchen ein Kontaktbereich (30) und ein entsprechendes Kontaktmaterial (30') des Halbleitersubstrats (1) bereichsweise oder vollständig mit einem Schutz (50) gegen Oxidation ausgebildet sind bzw. werden.
申请公布号 DE102005033469(A1) 申请公布日期 2007.02.01
申请号 DE20051033469 申请日期 2005.07.18
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 BAYERER, REINHOLD;SIEPE, DIRK;LICHT, THOMAS
分类号 H01L23/498;H01L21/48;H01L23/12;H01L25/07 主分类号 H01L23/498
代理机构 代理人
主权项
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