发明名称 |
Halbleitersubstrat, Verfahren zu dessen Herstellung sowie Verfahren zum Herstellen eines Schaltungsmoduls |
摘要 |
Vorgeschlagen werden ein Halbleitersubstrat (1) und ein Verfahren zu dessen Herstellung, bei welchen ein Kontaktbereich (30) und ein entsprechendes Kontaktmaterial (30') des Halbleitersubstrats (1) bereichsweise oder vollständig mit einem Schutz (50) gegen Oxidation ausgebildet sind bzw. werden. |
申请公布号 |
DE102005033469(A1) |
申请公布日期 |
2007.02.01 |
申请号 |
DE20051033469 |
申请日期 |
2005.07.18 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
BAYERER, REINHOLD;SIEPE, DIRK;LICHT, THOMAS |
分类号 |
H01L23/498;H01L21/48;H01L23/12;H01L25/07 |
主分类号 |
H01L23/498 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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