| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung eines monokristallinen Substrats und integrierter Schaltkreis mit einem solchen Substrat |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE60216646(D1) |
申请公布日期 |
2007.01.25 |
| 申请号 |
DE20026016646 |
申请日期 |
2002.01.09 |
| 申请人 |
STMICROELECTRONICS S.A. |
发明人 |
MENUT, OLIVIER;GRIS, YVON |
| 分类号 |
H01L21/76;H01L21/762;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/329;H01L21/822;H01L27/04;H01L29/861 |
主分类号 |
H01L21/76 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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