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In einem Verfahren zum Herstellen einer SiC-Halbleitervorrichtung wird auf ein Herstellen einer SiC-Halbleitervorrichtung eine Graphitschicht, die auf einem Ni-Silizidfilm ausgebildet ist, durch Zerstäuben, Oxidation, Reduktion oder Abscheidung von Wärme beseitigt. Eine Verdrahtungselektrode wird dann auf dem Ni-Silizid ausgebildet, auf welchem keine Graphitschicht ausgebildet ist. Dies erhöht eine Haftkraft zwischen der Verdrahtungselektrode und dem Ni-Silizidfilm auf dem SiC-Substrat und verhindert dadurch, dass sich die Verdrahtungselektrode von dem Ni-Silizidfilm auf dem SiC-Substrat abschält.
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